公开/公告号CN112746259A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-04
原文格式PDF
申请/专利权人 尚越光电科技股份有限公司;
申请/专利号CN202011601018.9
申请日2020-12-30
分类号C23C14/35(20060101);C23C14/54(20060101);C23C14/14(20060101);C23C14/08(20060101);
代理机构33295 杭州知见专利代理有限公司;
代理人赵越剑
地址 311121 浙江省杭州市余杭区五常街道余杭塘路1999号尚越绿谷中心1幢603室
入库时间 2023-06-19 10:52:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-06-23
授权
发明专利权授予
机译: 用于磁控溅射镀膜的高密度等离子体的制造方法
机译: 磁控溅射源和磁控溅射源中的等离子体密度或其分布的控制方法
机译: 气体例如氩气,一种用于硅晶片加工/转移设备的真空室的泄漏检测方法,涉及产生气体等离子体并检测在等离子体发射的辐射光谱中测试气体的光谱线的存在