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一种激子分子产生率的测量平台和测量方法

摘要

本发明涉及一种激子分子产生率的测量平台和测量方法,该平台包括真空腔体,真空腔体内置有电子束发生系统,电子束发生系统前端设有阳极靶面,阳极靶面为中心有圆孔的金属板,阳极靶面中心孔装有水平放置的圆柱形液氮冷却装置,装置一个圆形端面设有凹井结构,凹井深度与阳极靶面金属板厚度相同。凹井外侧使用导电、导热硅胶安装于阳极金属板的中心孔内且凹井端面与阳极靶面金属板表面平齐。半导体材料柱侧和背面采用导热/导电硅胶固定在凹井内。电子束发生系统产生的电子束正好完全覆盖半导体材料的圆形表面,且配有电子束流量检测装置。本发明提出一种激子分子产生率的测量平台和测量方法,能够实测半导体发光材料的激子分子产生率。

著录项

  • 公开/公告号CN112748093A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202011545591.2

  • 发明设计人 黄善杰;王岭雪;许方宇;蔡毅;

    申请日2020-12-24

  • 分类号G01N21/63(20060101);

  • 代理机构53100 昆明正原专利商标代理有限公司;

  • 代理人亢能;陈左

  • 地址 650216 云南省昆明市官渡区羊方旺396号

  • 入库时间 2023-06-19 10:51:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-24

    授权

    发明专利权授予

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