一种直流-交流变换器拓扑结构及其控制策略

摘要

本发明公开了一种直流‑交流变换器拓扑结构，包括采用Si‑IGBT器件构成的主单元、采用SiC‑MOSFET器件构成的从单元、工频变压器；主单元包括连接直流侧输入电压的逆变电路a，逆变电路a连接LC滤波电路a，LC滤波电路a输出端串联工频变压器的初级绕组，LC滤波电路a输出端还连接负载；从单元包括连接直流侧输入电压的逆变电路b，逆变电路b连接LC滤波电路b，LC滤波电路b串联工频变压器的次级绕组；将SiC‑MOSFET开关损耗小与Si‑IGBT电流能力强的优点有效结合起来，极大地降低了Si‑IGBT的开关频率，使高频工作的SiC‑MOSFET流过较小电流，降低了开关损耗，提高了系统的工作效率。