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简单低耗制备高熵氧化物陶瓷材料的方法

摘要

本发明涉及高熵陶瓷制备技术领域,公开了一种简单低耗制备高熵氧化物陶瓷材料的方法,按照如下步骤进行:S1、称取原料:按照设定的配比称量制备所需的原料;S2、颗粒细化:将步骤S1称量完成的原料与分散剂一同加入行星式球磨机的球磨罐中进行颗粒细化研磨,制备出混合均匀的浆料,随后对浆料进行烘干,并再次进行研磨得到细化粉料;S3、放电等离子处理:将完成步骤S2的细化粉料进行放电等离子活化,得到陶瓷生料;S4、微波烧结:对完成步骤S3的陶瓷生料进行微波烧结,即得高熵氧化物陶瓷材料。

著录项

  • 公开/公告号CN112723862A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 太原理工大学;

    申请/专利号CN202011609851.8

  • 申请日2020-12-29

  • 分类号C04B35/01(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/626(20060101);C04B35/64(20060101);C04B35/50(20060101);C04B35/453(20060101);

  • 代理机构44202 广州三环专利商标代理有限公司;

  • 代理人卢泽明

  • 地址 030000 山西省太原市迎泽西大街79号

  • 入库时间 2023-06-19 10:49:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-22

    授权

    发明专利权授予

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