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一种抑制SiC MOSFET桥式电路串扰的驱动电路

摘要

一种抑制SiC MOSFET桥式电路串扰的驱动电路,包括上放大电路、下放大电路、上驱动电路、下驱动电路、上桥臂串扰抑制电路和下桥臂串扰抑制电路;所述上驱动电路包括电阻R1、电阻R2和二极管D1;所述上桥臂串扰抑制电路包括电阻R3、电阻R4、电阻R5、PNP三极管Q1、NPN三极管Q2、电容C1和二极管D2;所述下驱动电路包括电阻R6、电阻R7和二极管D3;所述下桥臂串扰抑制电路包括电阻R8、电阻R9、电阻R10、PNP三极管Q3、NPN三极管Q4、电容C2和二极管D4。本发明具有SiC MOSFET开关管的开关速度高,无需添加额外的负压源、节约成本;串扰抑制效果良好,电路的复杂性低等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN112737312A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 山东大学;

    申请/专利号CN202011577240.X

  • 申请日2020-12-28

  • 分类号H02M1/44(20070101);H02M1/088(20060101);

  • 代理机构37202 威海科星专利事务所;

  • 代理人宋立国

  • 地址 264209 山东省威海市高区文化西路180号

  • 入库时间 2023-06-19 10:48:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-27

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H02M 1/44 专利申请号:202011577240X 申请公布日:20210430

    发明专利申请公布后的驳回

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