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一种单晶稀土六硼化物阴极发射体阵列结构制备方法

摘要

本发明提供了一种单晶稀土六硼化物阴极发射体阵列结构制备方法,该方法将激光加工与机械循环电化学腐蚀相结合,先利用激光直写加工或激光扫描振镜加工对阵列结构进行粗加工,高效获得阵列结构的雏形,后利用机械循环电化学腐蚀方法去除表面激光加工变质层的同时,对雏形进行高质量表面处理进而使尖锥曲率半径减小,最终制得形貌均匀、尖锥曲率半径小、表面质量优的阴极发射体阵列结构。本发明将激光加工技术和机械循环电化学腐蚀方法有机复合到单晶稀土六硼化物阴极发射体阵列结构制备中,充分结合激光、机械和电化学技术的优点,实现对单晶稀土六硼化物表面阵列结构的高效率、高表面质量以及更小尖锥曲率半径的制备。

著录项

  • 公开/公告号CN112695385A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN202011411368.9

  • 申请日2020-12-02

  • 分类号C30B33/00(20060101);C30B33/10(20060101);C30B29/10(20060101);B23K26/36(20140101);H01J9/02(20060101);

  • 代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘萍

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2023-06-19 10:44:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-21

    授权

    发明专利权授予

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