一种三维相变存储器的OTS+PCM单元模拟系统

摘要

本发明公开了一种三维相变存储器的OTS+PCM单元模拟系统，其中，PCM单元I‑V模块基于P‑F模型和欧姆定律构建OTS+PCM单元I‑V特性模型，当OTS+PCM单元I‑V模块接收到外界施加的电流或电压激励后，将外界施加的激励和PCM单元的非晶化率带入OTS+PCM单元I‑V特性模型中，计算得到PCM单元上的电流和电压；PCM温度模块根据PCM单元上的电流和电压，采用热阻热容RC网络实时计算PCM单元的温度；PCM相变模块根据PCM单元的温度判断PCM单元处于晶化状态还是非晶化状态，计算PCM单元的晶化速率和非晶化速率，将二者之和作为实时相变速率，并根据所得实时相变速率计算PCM单元的非晶化率，并输出到PCM单元I‑V模块中。本发明能够同时采用电流电压激励对模型进行直接操作，并保证其精确度，能够准确模拟OTS+PCM单元。