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用于实现近场自旋角动量复用的超表面材料的设计方法

摘要

本发明提供一种用于实现近场自旋角动量复用的超表面材料的设计方法,包括:构建超表面阵列,超表面阵列包括多个纳米砖结构单元;优化得到纳米砖结构单元的多组备选尺寸参数;设计复用图像一,并计算其上各像素点对应的纳米砖结构单元的相位再设计复用图像二,并计算其上各像素点对应的纳米砖结构单元的相位根据和计算各纳米砖结构单元的纳米砖转向角和传输相位;根据传输相位选出超表面阵列中各位置处的纳米砖结构单元对应的尺寸参数,再将各位置处对应尺寸参数的纳米砖结构单元计算出的纳米砖转向角为进行排布,从而获得所需的超表面材料。本发明大大扩充了超表面近场复用技术的信息通道维度,使得复用信息呈指数的增加。

著录项

  • 公开/公告号CN112684602A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉大学;

    申请/专利号CN202011590164.6

  • 发明设计人 陈奎先;郑国兴;李子乐;

    申请日2020-12-29

  • 分类号G02B27/00(20060101);G02B1/00(20060101);

  • 代理机构42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人罗敏清

  • 地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学

  • 入库时间 2023-06-19 10:41:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-18

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G02B27/00 专利申请号:2020115901646 申请公布日:20210420

    发明专利申请公布后的驳回

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