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一种模拟电路的剩余使用寿命预测方法及系统

摘要

本发明公开了一种模拟电路的剩余使用寿命预测方法及系统,属于模拟电路寿命预测领域。搭建模拟电路的仿真模型,并选择输出电压为退化变量;设置不同退化周期,提取输出电压的退化特征;优选出能够反映模拟电路器件退化趋势的关键特征;采用多特征融合和相似度模型来构建健康指数曲线,表征不同器件的全寿命周期的退化过程;建立基于时间卷积网络与注意力机制的预测模型,将优选的特征和构建好的健康指标数据库作为TCN‑Attention网络的输入,预测模拟电路器件的剩余使用寿命。通过对一个模拟电路的实例分析,验证本发明提出的剩余使用寿命预测框架的有效性,并可扩展应用到其他模拟电路的剩余使用寿命预测上。

著录项

  • 公开/公告号CN112685961A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉大学;

    申请/专利号CN202110034936.6

  • 申请日2021-01-12

  • 分类号G06F30/27(20200101);G06F119/04(20200101);

  • 代理机构42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人张宇

  • 地址 430072 湖北省武汉市武昌区八一路299号

  • 入库时间 2023-06-19 10:41:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-21

    授权

    发明专利权授予

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