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公开/公告号CN112688651A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-20
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第五十五研究所;
申请/专利号CN202011375855.4
发明设计人 韩群飞;陶洪琪;陈庆;余旭明;王维波;凌显宝;
申请日2020-11-30
分类号H03H5/00(20060101);H03K17/687(20060101);
代理机构32215 南京君陶专利商标代理有限公司;
代理人严海晨
地址 210016 江苏省南京市中山东路524号
入库时间 2023-06-19 10:40:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-11
授权
发明专利权授予
机译: 用于对称导体系统的开关装置结构,具有Z-单刀单掷开关,具有两个纵向和横向扇区,将输入和/或输出端子与输出和/或输入端子连接
机译: 高功率,高线性度和低插入损耗的单刀双掷发射器/接收器开关
机译: 高功率,高线性度和低插入损耗单刀双掷发送器/接收器开关
机译:使用多栅极结构的pHEMT单刀单掷开关的谐波抑制研究
机译:具有吸收性OFF状态的Sharp Skirt带通滤波器集成式单刀双掷开关
机译:具有宽带阻带的宽带带通滤波器集成式单刀双掷开关
机译:利用同轴谐振器设计低损耗单刀单掷和单刀双掷滤波开关
机译:基于聚合物多模波导的高性能热光开关和电光调制器,具有高器件封装密度,适用于光网络应用。
机译:基于串联并联配置的高隔离度单刀四掷RF MEMS开关
机译:MEMS,Ka-band单刀双掷(SPDT)开关,用于开关式移相器
机译:用于开关线移相器的mEms,Ka波段单刀双掷(spDT)开关