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公开/公告号CN112666400A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-16
原文格式PDF
申请/专利权人 西安交通大学;
申请/专利号CN202011297661.7
发明设计人 李运甲;窦伟滔;
申请日2020-11-18
分类号G01R27/26(20060101);
代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;
代理人安彦彦
地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号
入库时间 2023-06-19 10:38:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-06-30
授权
发明专利权授予
机译: 半导体装置的寄生电容测量系统中的谐振装置,半导体装置的寄生电容测量系统以及半导体装置的寄生电容测量方法
机译: 具有寄生电容的电容传感器的电容测量电路,用于精确测量
机译:在实验室有用! OP放大器应用电路第8号电路,用于精确测量功率MOSFET的寄生电容的电路
机译:在实验室有用! 电路,可准确测量第8个功率MOSFET的寄生电容
机译:改进的等效电路,用于根据“冷身”测量确定MESFET和HEMT寄生电容
机译:考虑寄生电容的逆变器馈电电动机的高频等效电路考虑寄生电容
机译:使用低噪声分流电容-电压测量从亚100nm MOSFET去除寄生电容的新方法。
机译:使用石英晶体寄生电容补偿大大改善了小电感测量
机译:模拟电路中寄生电容的精确估计
机译:集成电路内部电容的测量