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一种用于估算分析缝处离子束流宽度的方法

摘要

本发明揭示了一种用于估算分析缝处离子束流宽度的方法。本发明用于离子质量分析相关的领域,主要为半导体设备中离子注入机领域。质量分析器的分辨能力主要取决于,离子束在分析缝处的宽度和分析缝本身宽度。离子束本身的宽度不易直接测量,而分析缝宽度可以控制,且质量分析器的分辨率主要有两个宽度中较宽的一个决定。本方法通过测量不同分析缝宽度时质量分析器的分辨率,可以得到由离子束束宽和分析缝缝宽决定的不同分辨率,进而可以估算分析缝处离子束本身的宽度。

著录项

  • 公开/公告号CN112670144A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京烁科中科信电子装备有限公司;

    申请/专利号CN201910980460.8

  • 发明设计人 蔡炀烁;

    申请日2019-10-15

  • 分类号H01J37/30(20060101);H01J37/317(20060101);H01L21/67(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 101111 北京市通州区光机电一体化产业基地兴光二街6号

  • 入库时间 2023-06-19 10:38:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-24

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01J37/30 专利申请号:2019109804608 申请公布日:20210416

    发明专利申请公布后的视为撤回

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