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公开/公告号CN112643180A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-13
原文格式PDF
申请/专利权人 湘潭大学;
申请/专利号CN202110028030.3
发明设计人 洪波;肖郭城;黄维;文志;黄秀培;
申请日2021-01-11
分类号B23K10/02(20060101);
代理机构
代理人
地址 411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号湘潭大学
入库时间 2023-06-19 10:36:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-09
授权
发明专利权授予
机译: 等离子处理系统及真空镀膜和表面处理,包括等离子机理,磁控管品尝,远程阳极,电弧放电,阴极盖,阳极,磁系统,电源阴极和电弧放电电源;一种涂覆基材的方法。
机译: 磁控等离子体处理单元和磁控等离子体处理方法
机译: 用离子束和磁控等离子体结合磁控等离子体和离子束源对物体进行组合处理的方法
机译:使用i-C_4H_(10)/ N_2超磁控等离子体的宽或窄带隙非晶CN_x:H膜的溅射辅助等离子体CVD
机译:通过磁控电弧放电等离子体离子电镀制备立方氮化硼膜的研究
机译:钛窄间隙磁控电弧焊中钨电极位置自动调节系统
机译:旋转圆柱形磁控磁控磁控磁阻的等离子体排放监测
机译:先进的SERS传感系统,通过磁控纳米等离子体探针的操纵。
机译:磁控激光诱导等离子体微加工单晶体硅加工特性研究
机译:磁控真空电弧等离子体源
机译:用于激光韦克菲尔德加速的磁控等离子体波导。