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一种无需外部磁场的自旋轨道矩存储单元

摘要

本发明公开了一种无需外部磁场的自旋轨道矩存储单元,所述无需外部磁场辅助的自旋轨道矩。存储单元包括自旋轨道矩磁隧道结结构,该自旋轨道矩磁隧道结结构包括反铁磁绝缘层、位于所述反铁磁绝缘层上的重金属层、位于所述重金属层上的自由层、位于所述自由层上的隧道势垒层及位于所述隧道势垒层上的参考层、及位于所述参考层上的顶电极;其中,通过在所述重金属层中施加电流以产生自旋流。通过所述反铁磁绝缘层对所述自由层与所述重金属层之间的DMI进行调节,使得磁性层在无外磁场下,实现由自旋轨道矩诱导的磁矩定向翻转,从而实现自由层的无外磁场辅助的磁矩翻转。

著录项

  • 公开/公告号CN112652706A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201910971139.3

  • 发明设计人 王开友;李予才;

    申请日2019-10-12

  • 分类号H01L43/08(20060101);H01L43/12(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人任岩

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-06-19 10:35:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-01-06

    授权

    发明专利权授予

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