公开/公告号CN112652706A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-13
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201910971139.3
申请日2019-10-12
分类号H01L43/08(20060101);H01L43/12(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人任岩
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-06-19 10:35:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-01-06
授权
发明专利权授予
机译: 在没有外部磁场的情况下使用自旋轨道转矩进行垂直磁化纳米矩切换
机译: 具有堆叠磁性层的三端自旋轨道扭矩存储单元,可通过反常霍尔效应提供磁场偏置和自旋轨道扭矩
机译: 在没有外部磁场的情况下具有自旋轨道转矩的垂直磁化纳米磁铁的切换