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检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法

摘要

本发明公开了一种检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法。该方法包括:对氘代化合物进行Q‑Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱检测,并采集多张Full‑MS质谱图;基于所述多张谱图,得到同位素偏差值和仪器质量偏差值;以及同位素偏差值大于仪器质量偏差值,基于所述质谱检测,得到所述氘标记化合物同位素分布与丰度。该方法采用Q‑Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱进行检测,检测方法简单、快速、稳定、灵敏度高。

著录项

  • 公开/公告号CN112630345A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国计量科学研究院;

    申请/专利号CN202011481789.9

  • 发明设计人 李秀琴;张庆合;田甜;国振;

    申请日2020-12-14

  • 分类号G01N30/06(20060101);G01N30/72(20060101);

  • 代理机构11815 北京鼎真知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张濯非

  • 地址 100029 北京市朝阳区北三环东路18号

  • 入库时间 2023-06-19 10:33:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-30

    授权

    发明专利权授予

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