公开/公告号CN112640007A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-09
原文格式PDF
申请/专利权人 德克萨斯仪器股份有限公司;
申请/专利号CN201980056295.5
申请日2019-08-23
分类号H01C10/08(20060101);H01C10/16(20060101);H01C17/06(20060101);H01C17/23(20060101);
代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人徐东升
地址 美国德克萨斯州
入库时间 2023-06-19 10:32:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-10
授权
发明专利权授予
机译: 具有修整电阻器的金属陶瓷基体和具有修整电阻器的金属陶瓷基体的制造方法
机译: 获得基本上不对地层的氢指数敏感并且与在地层的非弹性截面中加权的原子密度/电子密度有关的,对地层的氢指数不敏感的脉冲中子诱发伽马射线响应的方法,以及获得该装置的设备脉冲中子诱发的伽马射线响应,该响应基本上对地层的氢指数不敏感,并且与非弹性截面加权原子密度/电子密度有关,用于地层评估
机译: 厚膜电阻器,修整厚膜电阻器的方法以及具有厚膜电阻器的印刷电路板