法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-02-16
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G02F 1/39 授权公告日:20130306 终止日期:20161231 申请日:20101231
专利权的终止
2013-03-06
授权
授权
2013-03-06
授权
授权
2011-08-10
实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/39 申请日:20101231
实质审查的生效
2011-08-10
实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/39 申请日:20101231
实质审查的生效
2011-06-15
公开
公开
2011-06-15
公开
公开
查看全部
机译: 具有不均匀量子点的半导体多层结构,发光二极管,半导体激光二极管和半导体光放大器,以及使用它们的制备方法
机译: 使用它的光纤放大器的半导体激光装置和激发光源
机译: 半导体激光装置和光纤放大器使用相同的光源激发光源