导电组合物及微型发光二极管显示设备的制造方法

摘要

本公开提供一种导电组合物以及微型发光二极管显示设备的制造方法。该导电组合物包含：5至90重量份的单体、10至95重量份的环氧树脂、以及50至150重量份的导电粉体。该单体与该环氧树脂的总重为100重量份。该单体具有n个反应官能基(reactive functional group)、且n为1、2、3或4，其中该单体的分子量小于或等于350。该环氧树脂的环氧当量重为160克/当量至3500克/当量。此外，该单体的重量、该单体的可反应基团数、该单体的分子量、该环氧树脂的重量、以及该环氧树脂的环氧当量重符合特定的关系。

说明书

【技术领域】

本公开涉及一种导电组合物及一种微型发光二极管显示设备的制造方法。

【背景技术】

随着光电科技的进步，光电组件的体积逐渐往小型化发展。近几年来由于发光二极管(light-emitting diode，LED)制作尺寸上的突破，目前将发光二极管以数组排列制作的微型发光二极管(micro-LED)显示器在市场上逐渐受到重视。微型发光二极管显示器属于主动式(有源)微型发光二极管显示器，其除了相较于有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)显示器而言更为省电以外，还具备更佳优异的对比度表现，而可以在阳光下具有可视性。此外，由于微型发光二极管显示器采用无机材料，因此其相较于有机发光二极管显示器而言具备更加优良的可靠性以及更长的使用寿命。

用于微型发光二极管显示器巨量转移制程的固晶材料可为焊料或各向异性导电膜(anisotropic conductive film、ACF)。然而，在巨量转移制程中使用各向异性导电膜时，由于传统各向异性导电膜需加压使导电粒子接触产生导通，此过程易使电极镀膜处产生脆裂，使得微型发光二极管无法点亮。此外，采用焊料来进行微型发光二极管与显示基板的电性连结时，由于焊料本身不具有粘着特性，无法有效初步固定巨量转移后的微型发光二极管。

因此，业界需要一种新颖的微型发光二极管显示面板的制造方法，以解决现有技术所遭遇到的问题。

【发明内容】

根据本公开实施例，本公开提供一种导电组合物，包含：单体，其中该单体的重量(W1)为5至90重量份，其中该单体具有n个反应官能基(反应性官能团，reactivefunctional group)、且n为1、2、3、4，其中该单体的分子量(Mw1)小于或等于350；环氧树脂，其中该环氧树脂的重量(W2)为10至95重量份，其中该环氧树脂的环氧当量重(EEW)为160克/当量至3500克/当量；以及，50至150重量份的导电粉体。其中，该单体与该环氧树脂的总重(W1+W2)为100重量份，且其中该单体的重量(W1)、该单体的可反应基团数(n)、该单体的分子量(Mw1)、该环氧树脂的重量(W2)、以及该环氧树脂的环氧当量重(EEW)符合以下公式：

16.90≦Ln[(EEW

根据本公开实施例，本公开提供一种微型发光二极管显示设备的制造方法，该方法包含：提供显示基板，其中该显示基板具有复数个接触垫配置于该显示基板的上表面；形成由本公开所述导电组合物所构成的膜层于该显示基板的上表面，其中该膜层覆盖该接触垫；提供载板，其中复数个微型发光二极管配置于该载板上，其中每一微型发光二极管具有电极；转移该微型发光二极管至该显示基板，并藉由该膜层将每一微型发光二极管固定于对应的接触垫之上；对该膜层进行第一热处理，使得该膜层内的导电粉体形成导电层，且该微型发光二极管的电极与该接触垫藉由该导电层达到电性连结；以及，对该膜层进行第二热处理。

【附图说明】

图1为本公开一实施例所述的微型发光二极管显示设备的制程步骤流程图。

图2为本公开一实施例所述的具有复数个接触垫的显示基板的示意图。

图3为本公开一实施例所述的具有导电组合物所形成膜层的显示基板的示意图。

图4为本公开一实施例所述的具有复数个微型发光二极管的载板的示意图。

图5为本公开一实施例所述的将复数个微型发光二极管转移至显示基板的示意图。

图6为本公开一实施例所述的对膜层进行第一热处理的示意图。

图7绘示环氧树脂(Epikote 1001)的粘度的对数与温度的对数的关系图。

图8绘示环氧树脂(Epikote 1003)的粘度的对数与温度的对数的关系图。

图9绘示环氧树脂(Epikote 1007)的粘度的对数与温度的对数的关系图。

图10绘示环氧树脂(Epikote 1009)的粘度的对数与温度的对数的关系图。

图11绘示环氧树脂(EPICLON HP-4700)的粘度的对数与温度的对数的关系图。

【附图标记说明】

10 微型发光二极管显示设备的制造方法

11-21 步骤

30 显示基板

31 上表面

32 接触垫

40 膜层

42 导电粉体

44 有机部分

46 导电层

50 载板

52 微型发光二极管

54 电极

【具体实施方式】

以下针对本发明的显示设备作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本发明的不同样态(方案)。以下所述特定的组件及排列方式仅为简单描述本发明。当然，这些仅用以举例而非本发明的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标记或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。

必需了解的是，为特别描述或图标的组件可以本领域技术人员所熟知的各种形式存在。此外，当某层在其它层或基板“上”时，有可能是指“直接”在其它层或基板上，或指某层在其它层或基板上，或指其它层或基板之间夹设其它层。

且在图式中，实施例的形状或厚度可扩大，用以简化或方便标示。再者，图式中各组件的部分将分别描述说明，值得注意的是，图中未绘示或描述的组件，为本领域技术人员所知的形式，此外，特定的实施例仅为揭示本发明使用的特定方式，其并非用以限定本发明。

再者，说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”、“第三”等用词，以修饰所要求(保护)的组件，其本身并不意含及代表该要求的组件有任何之前的序数，也不代表某一要求的组件与另一要求的组件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的要求组件得以和另一具有相同命名的要求组件能作出清楚区分。

本公开提供一种导电组合物以及利用该导电组合物制造微型发光二极管显示设备的方法。本公开所述的导电组合物在涂于基材形成膜层后，可在室温下对基材具有介于90gf/25mm至2000gf/25mm之间的粘着力。因此，该膜层可作为各向异性导电胶配置于显示基板之上，并在室温下可暂时固定由载板转移过来的微型发光二极管晶粒，改善微型发光二极管晶粒的电极与显示基板的接触垫之间的对位。此外，由本公开所述的导电组合物所形成的膜层，在进行第一热处理使膜层内的导电粉体形成导电层时，该膜层的有机部分(即该膜层内除导电粉体(或其所形成的导电层)外的其他成份)具有小于或等于0.1Pa.s的粘度。如此一来，可使得导电粉体在第一热处理时可在该膜层内移动，并在导电粉体熔融后藉由表面张力差自聚在微型发光二极管晶粒的电极及接触垫之间，达到自对位(自组装)的效果。此外，经由第一热处理可使微型发光二极管晶粒与显示基板上的接触垫电性连结但不会固化该膜层。如此一来，可对显示基板上的该微型发光二极管进行检测，且可对检测后所辨别出的不良微型发光二极管重复该第一热处理，以方便移除该不良微型发光二极管并以其他微型发光二极管置换。

根据本公开实施例，本公开所述导电组合物可包含：单体，其中该单体的重量(W1)为5至90重量份，例如10至90重量份、10至80重量份、10至70重量份，其中该单体具有n个反应官能基(reactive functional group)，且n为1、2、3、或4；环氧树脂，其中该环氧树脂的重量(W2)为10至95重量份，例如10至90重量份、20至90重量份、20至80重量份，其中该单体与该环氧树脂的总重(W1+W2)为100重量份；以及，50至150重量份的导电粉体，例如50至100重量份。该单体的分子量(Mw1)小于或等于350。该环氧树脂的环氧当量重(EEW)为160克/当量至3500克/当量。值得注意的是，该单体的重量(W1)、该单体的可反应基团数(n)、该单体的分子量(Mw1)、该环氧树脂的重量(W2)、以及该环氧树脂的环氧当量重(EEW)的关系定义为T＝Ln[(EEW

16.90≦T≦18.90 公式(I)

根据本公开实施例，该T值可为16.90≦T≦18.30或16.96≦T≦18.28。

当T(T＝Ln[(EEW

根据本公开实施例，本公开所述该单体的重量(W1)、该单体的可反应基团数(n)、该单体的分子量(Mw1)、该环氧树脂的重量(W2)、以及该环氧树脂的环氧当量重(EEW)的特定关系是针对分子量(Mw1)小于或等于350的单体以及环氧当量重(EEW)为160克/当量至3500克/当量的环氧树脂进行设定及验证。因此，即便使用其他单体(即分子量(Mw1)大于350的单体)或其他环氧树脂(即环氧当量重(EEW)小于160克/当量、或大于3500克/当量)可符合公式(I)，所得的导电组合物未必能达到本公开所述导电组合物的技术功效。

根据本公开实施例，该单体可为具有一个反应官能基的单体、具有二个反应官能基的单体、或具有三个反应官能基的单体。该单体的反应官能基可为环氧乙烷基(oxiranylgroup)、环氧环己烷基(cyclohexene oxide group)、氧杂环丁烷基(oxetanyl group)、乙烯氧基(vinyloxy group)、烯丙氧基(allyloxy group)、丙烯酸酯基(acrylate group)、或甲基丙烯酸酯基(methacrylate group)。当该单体为具有二个反应官能基的单体或具有三个反应官能基的单体时，每一反应官能基可独立为环氧乙烷基(oxiranyl group)、氧杂环丁烷基(oxetanyl group)、乙烯氧基(vinyloxy group)、烯丙氧基(allyloxy group)、丙烯酸酯基(acrylate group)、或甲基丙烯酸酯基(methacrylate group)。

根据本公开实施例，该单体为三羟甲基乙烷氧杂环丁烷(trimethylolethane-oxetane)、三羟甲基丙烷氧杂环丁烷(trimethylolpropane oxetane)、三羟甲基丁烷氧杂环丁烷(trimethylolbutane oxetane)、三羟甲基戊烷氧杂环丁烷(trimethylolpentaneoxetane)、三羟甲基己烷氧杂环丁烷(trimethylolhexane oxetane)、三羟甲基庚烷氧杂环丁烷(trimethylolheptane oxetane)、三羟甲基辛烷氧杂环丁烷(trimethyloloctaneoxetane)、三羟甲基壬烷氧杂环丁烷(trimethylolnonane oxetane)、乙二醇二缩水甘油醚(ethylene glycol diglycidyl ether)、丙二醇二缩水甘油醚(propylene glycoldiglycidyl ether)、丁二醇二缩水甘油醚(butanediol diglycidyl ether)、新戊二醇二缩水甘油醚(neopentyl glycol diglycidyl ether)、己二醇二缩水甘油醚(hexanedioldiglycidyl ether)、环己烷二甲醇二缩水甘油醚(cyclohexanedimethanol diglycidylether)、双酚A二缩水甘油醚(bisphenol A diglycidyl ether、BADGE)、双酚F二缩水甘油醚(bisphenol F diglycidyl ether、BFDGE)、对苯二甲酸二缩水甘油酯(terephthalicacid diglycidyl ester)、四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯(tetrahydrophthalic aciddiglycidyl ester)、六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯(hexahydrophthalic aciddiglycidyl ester)、三缩水甘油基-对-胺基苯酚(triglycidyl p-aminophenol)、三缩水甘油基三异氢酸酯(triglycidyl isocyanurate)、三羟甲基丙烷三缩水甘油醚(trimethylolpropane triglycidyl ether)、甘油三缩水甘油醚(glycerol triglycidylether)、或上述的组合。

根据本公开实施例，本公开所述导电组合物可使用单一单体。根据本公开其他实施例，本公开所述导电组合物可使用二种或二种以上的单体。当本公开所述导电组合物使用二种或二种以上的单体时，公式(I)所述单体的分子量(Mw1)系指该二种(或二种以上)单体的重量加权平均分子量，而单体的重量(W1)系指该二种(或二种以上)单体的重量总和。此外，当本公开所述导电组合物使用二种或二种以上的单体时，公式(I)所述单体可反应基团数(n)系指该二种(或二种以上)单体的重量加权平均可反应基团数。

根据本公开实施例，该环氧树脂的重均分子量(Mw2)为500至7000，且该环氧树脂的环氧当量重(EEW)为160克/当量至大于3500克/当量，其中该环氧树脂的环氧当量系依据JIS K-7236所规定的方法进行测定。

根据本公开实施例，本公开对于所使用的环氧树脂有以下限制：该环氧树脂的粘度(单位为Pa·s)的对数对于温度(单位为℃)的对数作图并经线性回归所决定的斜率系介于-8至-20之间。该环氧树脂的粘度测量起始温度(T)以粘度作为判别，当粘度介于700Pa.s至5000Pa.s即可作为起始点。接着，每增加10℃测量该环氧树脂的粘度。粘度的测量方式系以流变仪(AR-G2，美国TA仪器公司制造)在剪切速率(shear rate)10s

根据本公开实施例，本公开所述环氧树脂在起始温度(T℃)下的粘度(单位为Pa.s)的对数为V1、在T+10℃下的粘度(单位为Pa.s)的对数为V2、在T+20℃下的粘度(单位为Pa.s)的对数为V3、以及在T+30℃下的粘度(单位为Pa.s)的对数为V4，其中V1为2.84至3.70、V1>V2>V3>V4、且V1-V4系大于或等于1.83。根据本公开实施例，V1、V2、V3、及V4符合以下(1)-(2)条件的任一者：(1)2.84≦V1<3、0

根据本公开实施例，该环氧树脂可为双酚A环氧树脂(bisphenol A epoxyresin)、双酚F环氧树脂(bisphenol F epoxy resin)、双酚S环氧树脂(bisphenol S epoxyresin)、酚醛环氧树脂(novolac epoxy resin)、萘基环氧树脂(naphthalene-based epoxyresin)、蒽基环氧树脂(anthracene-based epoxy resin)、双酚A二缩水甘油醚环氧树脂(bisphenol A diglycidyl ether(BADGE)epoxy resin)、乙二醇二缩水甘油醚环氧树脂(ethylene glycol diglycidyl ether(EGDGE)epoxy resin)、丙二醇二缩水甘油醚环氧树脂(propylene glycol diglycidyl ether(PGDGE)epoxy resin)、1,4-丁二醇二缩水甘油醚环氧树脂(1,4-butanediol diglycidyl ether(BDDGE)epoxy resin)、或上述的组合。举例来说，该环氧树脂可具有以下结构：

其中m≥0。

根据本公开实施例，本公开所述环氧树脂可为Epikote 1001(购自三菱化学、结构为

(m>1)，分子量为约900)。请参照图7，系显示Epikote 1001的粘度的对数对于温度的对数的作图。Epikote 1001的粘度测量起始温度为70℃，测得的粘度为约704.768Pa.s。接着，每增加10℃测量该环氧树脂的粘度，重复七次。Epikote 1001在70℃、80℃、90℃、以及100℃下的粘度的对数如表1所示。Epikote 1001的粘度的对数对于温度的对数的作图经线性回归所决定的斜率为-10.476，且粘度随温度变化由起始点开始四个点内的粘度变化为694.04Pa.s。

表1

根据本公开实施例，本公开所述环氧树脂可为Epikote 1003(购自三菱化学、结构为

(m>1)，分子量为约1300)。请参照图8，系显示Epikote 1003的粘度的对数对于温度的对数的作图。Epikote 1003的粘度测量起始温度为80℃，测得的粘度为约4800Pa.s。接着，每增加10℃测量该环氧树脂的粘度，重复7次。Epikote 1003在80℃、90℃、100℃、以及110℃下的粘度的对数如表2所示。Epikote 1003的粘度的对数对于温度的对数的作图经线性回归所决定的斜率为-15.159，且粘度随温度变化由起始点开始四个点内的粘度变化为4769Pa.s。

表2

根据本公开实施例，本公开所述环氧树脂可为Epikote 1007(购自三菱化学、结构为

(m>1)，分子量为约2900)。请参照图9，系显示Epikote 1007的粘度的对数对于温度的对数的作图。Epikote 1007的粘度测量起始温度为120℃，测得的粘度为约1037Pa.s。接着，每增加10℃测量该环氧树脂的粘度，重复5次。Epikote 1007在120℃、130℃、140℃、以及150℃下的粘度的对数如表3所示。Epikote 1007的粘度的对数对于温度的对数的作图经线性回归所决定的斜率为-13.765，且粘度随温度变化由起始点开始四个点内的粘度变化为991Pa.s。

表3

根据本公开实施例，本公开所述环氧树脂可为Epikote 1009(购自三菱化学、结构为

(m>1)，分子量为约3800)。请参照图10，系显示Epikote 1009的粘度的对数对于温度的对数的作图。Epikote 1009的粘度测量起始温度为130℃，测得的粘度为约1372Pa.s。接着，每增加10℃测量该环氧树脂的粘度，重复六次。Epikote 1009在130℃、140℃、150℃以及160℃下的粘度的对数如表4所示。Epikote 1009的粘度的对数对于温度的对数的作图经线性回归所决定的斜率为-13.471，且粘度随温度变化由起始点开始四个点内的粘度变化为1311.06Pa.s。

表4

根据本公开实施例，本公开所述环氧树脂可为EPICLON HP-4700(购自DIC、结构为

表5

根据本公开实施例，本公开所述导电组合物可使用单种环氧树脂。根据本公开其他实施例，本公开所述导电组合物可使用二种或二种以上的环氧树脂。当本公开所述导电组合物使用二种或二种以上的环氧树脂时，公式(I)所述环氧树脂的环氧当量重(EEW)指该二种(或二种以上)环氧树脂的重量加权平均环氧当量重，而环氧树脂的重量(W2)指该二种(或二种以上)单体的重量总和。

根据本公开实施例，该导电粉体可为焊材，例如为锡-铋合金、锡-铟合金、锡-铋-铟合金、锡-铋-锑合金、锡-银-铋合金、锡-铜-铋合金、锡-银-铜-铋合金、锡-银-铟合金、锡-铜-铟合金、锡-铜-银-铟合金、锡-金-铜-铋-铟合金、或上述的组合。根据本公开实施例，该导电粉体可为锡-铋合金。

根据本公开实施例，该导电粉体的熔点小于该导电组合物的固化温度，以避免在进行第一热处理使膜层内的导电粉体形成熔融态时同时固化该导电组合物。根据本公开实施例，该导电粉体的熔点与该导电组合物的固化温度的差值大于或等于20℃，例如大于或等于30℃、大于或等于40℃、或大于或等于50℃。根据本公开实施例，该导电粉体的熔点可为130℃至160℃，例如140℃、150℃、或160℃。

根据本公开实施例，该导电粉体的重量份可具有的平均粒径为1μm至100μm，例如为1μm至90μm、1μm至80μm、1μm至70μm、10μm至50μm、或10μm至20μm。

根据本公开实施例，该导电组合物可还包含去氧化剂，其中该去氧化剂具有1至40重量份。根据本公开实施例，该去氧化剂(deoxidizer)可为戊二酸(pentanedioic acid)、癸二酸(decanedioic acid)、辛二酸(suberic acid)、己二酸(adipic acid)、甲基丁二酸(methylsuccinic acid)、水杨酸(salicylic acid)、硬脂酸(stearic acid)、丁二酸酐(succinic anhydride)、苯甲酸(benzoic acid)、酒石酸(tartaric acid)、衣康酸(itaconic acid)、十二酸(dodecanoic acid)、十四酸(myristic acid)、十六酸(palmiticacid)、乙醇胺(ethanolamine)、乙二胺(ethylenediamine)、丁二醇胺(butanediolamine)、二乙烯三胺(二亚乙基三胺，diethylenetriamine)、3-丙醇胺(3-propanolamine)、羟乙基乙二胺(hydroxyethylenediamine)、丁二酸胺(ammonium succinate)、N,N-二乙基乙醇胺(N,N-diethylethanolamine)、或上述的组合。

根据本公开实施例，该导电组合物可还包含硬化剂，其中该硬化剂具有0.01至10重量份。该硬化剂可例如为碘鎓盐(iodinium salt)、锍盐(sulfonium salt)、或上述的组合。举例来说，碘鎓盐可为四氟硼酸二苯基碘鎓(diphenyliodonium tetrafluoroborate)、四氟硼酸二(4-甲基苯基)碘鎓(di(4-methylphenyl)iodonium tetrafluoroborate)、四氟硼酸苯基-4-甲基苯基碘鎓(phenyl-4-methylphenyliodonium tetrafluoroborate)、四氟硼酸二(4-庚基苯基)碘鎓(di(4-heptylphenyl)iodonium tetrafluoroborate)、六氟磷酸二(3-硝基苯基)碘鎓(di(3-nitrophenyl)iodonium hexafluorophosphate)、或六氟磷酸二(4-氯苯基)碘鎓(di(4-chlorophenyl)iodonium hexafluorophosphate)；以及，锍盐可为四氟硼酸三苯基锍(triphenylsulfonium tetrafluoroborate)、四氟硼酸甲基二苯基锍(methyldiphenylsulfonium tetrafluoroborate)、六氟磷酸二甲基苯基锍(dimethylphenylsulfonium hexafluorophosphate)、六氟磷酸三苯基锍(triphenylsulfonium hexafluorophosphate)、六氟锑酸三苯基锍(triphenylsulfoniumhexafluoroantimonate)、六氟砷酸二苯基萘基锍(diphenylnaphthylsulfoniumhexafluoroarsenate)、六氟磷酸三甲苯基锍(tritolysulfonium hexafluorophosphate)、六氟锑酸茴香基二苯基锍(anisyldiphenylsulfonium hexafluoroantimonate)、四氟硼酸4-丁氧基苯基二苯基锍(4-butoxyphenyldiphenylsulfonium tetrafluoroborate)、六氟磷酸4-氯苯基二苯基锍(4-chlorophenyldiphenyl-sulfonium hexafluorophosphate)、或六氟磷酸三(4-苯氧基苯基)锍(tri(4-phenoxyphenyl)sulfoniumhexafluorophosphate)。

根据本公开实施例，该导电组合物可还包含溶剂，以使上述单体、环氧树脂、导电粉体、去氧化剂、及硬化剂均匀分散于该溶剂中。该溶剂可例如为甲乙酮(methyl ethylketone)、丙二醇甲醚醋酸酯(propylene glycol methyl acetate，PGMEA)、乙酸异戊酯(isopentyl acetate)、苯(benzene)、甲苯(toluene)、二甲苯(xylene)、环己烷(cyclohexane)、或上述的组合。

根据本公开实施例，该导电组合物的固含量(即除了溶剂外的所有成份的重量百分比，以该导电组合物的总重为基准)可为5wt％至90wt％。

根据本公开实施例，该导电组合物可用来形成膜层，例如各向异性导电膜。该膜层的形成方法包含将该导电组合物膜涂布于基材上形成涂层，接着对该膜层进行烘烤制程，以移除该导电组合物的溶剂，形成该膜层。将该导电组合物膜涂布于基材上的方法可例如为丝网印刷、钢板印刷、旋转涂布法(spin coating)、棒状涂布法(bar coating)、刮刀涂布法(blade coating)、滚筒涂布法(roller coating)、浸渍涂布法(dip coating)、喷涂(spray coating)、或刷涂(brush coating)。

根据本公开实施例，本公开提供一种微型发光二极管显示设备的制造方法。图1为本公开一实施例所述微型发光二极管显示设备的制造方法10的步骤流程图，以及图2至图6为一系列示意图，用以说明本公开所述微型发光二极管显示设备的制造流程。首先，如图2所示，提供显示基板30，其中该显示基板具有复数个接触垫32配置于该显示基板30的上表面31(步骤11)。

接着，如图3所示，形成膜层40于该显示基板30的上表面31，并覆盖该接触垫32(步骤13)。其中，该膜层40由上述导电组合物所形成。该膜层40的制备方法可例如将该导电组合物膜涂布于基材上形成涂层，接着对该膜层进行烘烤制程，以移除该导电组合物的溶剂，形成该膜层40。根据本公开实施例，该膜层40由导电粉体42及有机部分44(即导电组合物除导电粉体外的其他成份)所构成。该膜层40可为连续膜层，如图3所示。根据本公开实施例，该膜层40可为不连续膜层。举例来说，该膜层可为图形化膜层，包含复数个区域，每一区域覆盖对应的接触垫，且两相邻的区域相隔预定距离。

根据本公开实施例，该烘烤制程并不会使导电组合物中的单体及环氧树脂进行反应(即该烘烤制程不会固化该导电组合物)。根据本公开实施例，该烘烤制程的温度可为50℃至100℃。

根据本公开实施例，该膜层具有剥离强度大于90gf/25mm，其中该剥离强度测量方式系依据ASTM-D1876所规定的方法进行测定。

根据本公开实施例，由于该膜层在室温下对基材可具有介于90gf/25mm至2000gf/25mm之间的粘着力，其中该粘着力测量方式系依据ASTM-D1876所规定的方法进行测定。

接着，如图4所示，提供载板50，其中复数个微型发光二极管52配置于该载板50上，其中每一微型发光二极管52具有电极54(步骤15)。根据本公开实施例，微型发光二极管可指其长、宽、及高在1μm至100μm范围内的发光二极管。根据本公开实施例，该微型发光二极管52可为垂直式发光二极管或水平式发光二极管。若该微型发光二极管52为垂直式发光二极管，该微型发光二极管52可具有另一电极与该电极54对向设置。若该微型发光二极管52为水平式的发光二极管，该微型发光二极管52可具有另一电极与该电极54设置在同侧。为了清楚表达特定的特征，所述另一电极在图式中被省略。

接着，如图5所示，转移该等微型发光二极管52至该显示基板30，并藉由该膜层40将每一微型发光二极管52暂时固定于对应的接触垫32之上(步骤17)。根据本公开实施例，可利用巨量转移(mass transfer)制程将微型发光二极管52由载板50转移至显示基板30。根据本公开实施例，该转移制程可逐一或批量地将微型发光二极管52由载板50转移至显示基板30。举例来说，转移制程可为机械静电吸取法或粘着胶粘取法。由于该膜层40在室温下对基材具有介于90gf/25mm至2000gf/25mm之间的粘着力，因此由本公开所述导电组合物所形成的膜层40可暂时将微型发光二极管52固定于对应的接触垫32之上，使微型发光二极管52易于由载板50转移至显示基板30上。

接着，如图6所示，对该膜层40进行第一热处理，使得该膜层40内的导电粉体42熔融，并藉由表面张力差自聚在微型发光二极管晶粒52的电极54及接触垫32之间，形成导电层46(步骤19)。在此，该微型发光二极管52的电极54与该接触垫32藉由该导电层46达到电性连结。根据本公开实施例，在进行第一热处理使膜层内的导电粉体42形成导电层46时，该膜层40的有机部分44(即该膜层内除导电粉体42(或其所形成的导电层46)外的其他成份)具有小于或等于0.1Pa.s的粘度。如此一来，可使得导电粉体42在第一热处理时可在该膜层内移动，并在导电粉体熔融后藉由表面张力差自聚在微型发光二极管晶粒的电极及接触垫之间，达到自对位的效果。

根据本公开实施例，该第一热处理的温度可大于或等于该导电粉体的熔点，使导电粉体42熔融形成导电层46。如此一来，微型发光二极管晶粒52的电极54可藉由该导电层46与接触垫32电性连结。根据本公开实施例，该第一热处理的温度较该导电粉体的熔点高0.5℃至25℃。根据本公开实施例，第一热处理的温度并不会固化该膜层40(即不会使导电组合物中的单体及环氧树脂反应)。根据本公开实施例，该第一热处理的温度可为130℃至160℃。

根据本公开实施例，在经由该第一热处理使发光二极管晶粒52的电极54与显示基板30上的接触垫32电性连结后，可进一步对该显示基板30上的微型发光二极管52进行检测，以辨别出不良微型发光二极管。由于第一热处理并不会固化该膜层40，因此在辨别该不良微型发光二极管后，还进一步对该不良微型发光二极管下方的导电层46重复进行该第一热处理，以移除该不良微型发光二极管并置换成其他微型发光二极管。

根据本公开实施例，该检测的目的在于在进行第二热处理前(即固化该膜层40前)测知微型发光二极管52是否存在缺陷或瑕疵，以方便在完成微型发光二极管显示设备组装前先行修复。根据本公开实施例，该检测可为电性检测。

最后，对该膜层40进行第二热处理以固化该膜层40(步骤21)。如此一来，可将微型发光二极管52永久固定于该显示基板30之上。根据本公开实施例，该第二热处理的温度大于该第一热处理的温度。根据本公开实施例，该第二热处理的温度需可使该膜层40中的单体及环氧树脂进行反应。根据本公开实施例，该第二热处理的温度例如可为180℃至250℃。

为了让本公开的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举数实施例配合所附图示，作详细说明如下：

实施例1

将10重量份的三羟甲基丙烷氧杂环丁烷(trimethylolpropane oxetane、TMPO)(购自柏斯托精细化学(Perstorp Specialty Chemicals)、90重量份的双酚A环氧树脂(商品编号为Epikote 1001、购自三菱化学、环氧当量为约470)、15.38重量份的戊二酸(glutaric acid)、77重量份的锡铋粉体(商品编号为Sn42/Bi58、购自Hanon TechnologyIndustry Limited、平均粒径为约10-20μm)、0.5重量份的硬化剂(商品编号为SI-B4、购自Shan-shin chemical industry co.LTD)以及19.23重量份的甲乙酮(methyl ethylketone)均匀混合，得到导电组合物(1)，其中TMPO与Epikote 1001的比例为1:9。以公式(I)换算所得的T值，结果显示于表6。

接着，测量导电组合物(1)所形成膜层的剥离强度，结果显示于表6。导电组合物所形成膜层的剥离强度的测量方式包含以下步骤。首先，将导电组合物以网印方式涂布于铜箔上，形成涂层。接着，在80℃下烘干该涂层以移除溶剂，得到膜层。接着，配置另一铜箔(宽度为25mm)于该膜层上。接着，依据ASTM-D1876所规定的方法测量膜层的剥离强度。

接着，测量导电组合物(1)所形成膜层在140℃下的粘度，结果显示于表6。导电组合物所形成膜层系利用以下方法测量导电组合物所形成膜层在140℃下的粘度。首先，将导电组合物(不含导电粉体及溶剂)流变仪(AR-G2，美国TA仪器公司制造)在140℃、剪切速率(shear rate)10s

接着，判断导电组合物(1)所形成膜层加热至导电粉体的熔点后是否可进行自组装，结果显示于表6。导电组合物加热后是否可进行自组装的判定方式如下。首先，提供基板，其上具有复数接触垫及控制金属电路。接着，将导电组合物(1)以丝网印刷或钢板印刷的方式涂布于该基板的接触垫。接着，在80℃下烘干该涂层以移除溶剂，得到膜层。接着，将该膜层加热至150℃并维持5分钟。降温后，观察导电粉体是否聚集至接触垫及/或控制电路上形成导电层。首先，将导电组合物以丝网印刷方式涂布于铜箔上。接着，在80℃下烘干该涂层以移除溶剂，得到膜层。

接着，对导电组合物(1)所形成的膜层进行芯片转移测试，结果显示于表6。芯片转移测试的步骤如下。首先，将导电组合物以丝网印刷方式涂布于铜箔上，形成涂层。接着，在80℃下烘干该涂层以移除溶剂，得到膜层。接着，以聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄膜抓取300个芯片(尺寸为175*125μm)，并转移至该膜层上。若聚二甲基硅氧烷薄膜上的芯片能全部转移至膜层上，则代表通过芯片转移测试。

比较例1

比较例1如实施例1所述的方式进行，但将TMPO与Epikote 1001的比例由1:9增加至2:8，并且将甲乙酮的重量份由19.23降低至15.38，得到导电组合物(2)。藉由公式(I)计算出导电组合物(2)的T值，结果显示于表6。接着，测量导电组合物(2)所形成膜层的剥离强度以及在140℃下的粘度，并判断导电组合物(2)所形成膜层是否可进行自组装或是否通过芯片转移测试，结果显示于表6。

比较例2

比较例2如实施例1所述的方式进行，但将TMPO与Epikote 1001的比例由1:9增加至3:7，且将甲乙酮的重量份由19.23降低至9.61，得到导电组合物(3)。藉由公式(I)计算出导电组合物(3)的T值，结果显示于表6。接着，测量导电组合物(3)所形成膜层的剥离强度以及在140℃下的粘度，并判断导电组合物(3)所形成膜层是否可进行自组装或是否通过芯片转移测试，结果显示于表6。

比较例3

比较例3如实施例1所述的方式进行，但将TMPO与Epikote 1001的比例由1:9增加至4:6，且将甲乙酮的重量份由19.23降低至5.77，得到导电组合物(4)。藉由公式(I)计算出导电组合物(4)的T值，结果显示于表6。接着，测量导电组合物(4)所形成膜层的剥离强度以及在140℃下的粘度，并判断导电组合物(4)所形成膜层是否可进行自组装或是否通过芯片转移测试，结果显示于表6。

表6

由表6可得知，当TMPO(单体)的添加量增加使得T值下降时(小于16.9)，会导致导电组合物所形成膜层的粘度及剥离强度降低。如此一来，由于膜层在室温下对基材的粘着力不足，导致比较例1-3所述导电组合物所形成膜层无法通过芯片转移测试。此外，实施例1所述导电组合物所形成的膜层于140℃下的粘度小于0.1Pa.S，因此不会阻碍导电粉体于膜层内的移动，可通过自组装测试。

实施例2

将40重量份的六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯(hexahydrophthalic aciddiglycidyl ester)(商品编号为

实施例3

实施例3如实施例2所述的方式进行，但将

实施例4

实施例4如实施例2所述的方式进行，但将

比较例4

比较例4如实施例2所述的方式进行，但将

比较例5

比较例5如实施例2所述的方式进行，但将

表7

由表7可得知，当单体的添加量增加且T值维持于16.9至18.9的范围内时，导电组合物所形成膜层的剥离强度会随着单体的添加量增加而增加。不过，当单体的添加量增加使得T值下降时(小于16.9)，会导致导电组合物所形成膜层的粘度及剥离强度大幅降低。此外，实施例2-4所述导电组合物所形成的膜层于140℃下的粘度皆小于0.1Pa.S，因此不会阻碍导电粉体于膜层内的移动，可通过自组装测试。

实施例5

将80重量份的六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯(hexahydrophthalic aciddiglycidyl ester)(商品编号为

比较例6

比较例6如实施例5所述的方式进行，但将

比较例7

比较例7如比较例6所述的方式进行，但将Epikote 1007以Epikote 1009(双酚A环氧树脂、购自三菱化学、环氧当量为约2700)取代，得到导电组合物(12)。藉由公式(I)计算出导电组合物(12)的T值，结果显示于表8。接着，测量导电组合物(12)形成膜层的剥离强度以及在140℃下的粘度，并判断导电组合物(12)形成膜层是否可进行自组装或是否通过芯片转移测试，结果显示于表8。

比较例8

比较例8如比较例7所述的方式进行，但将

表8

由表8可得知，由于导电组合物(13)所形成的膜层在140℃下的粘度小于0.1Pa.S，因此该膜层内的熔融态的导电粉体可在膜层内移动并聚集形成导电层，通过自组装测试。在比较例6-8中，当环氧树脂的比例增加时(使T值大于18.9)，导致导电组合物(14)所形成的膜层于140℃下的粘度达到0.29Pa.S以上，如此高的粘度使得膜层内的熔融态的导电粉体无法在膜层内移动，因此无法自组装。

当单体的添加量增加且T值维持于16.9至18.9的范围内时，导电组合物所形成膜层的剥离强度会随着单体的添加量增加而增加。不过，当单体的添加量增加使得T值下降时(小于16.9)，会导致导电组合物所形成膜层的粘度及剥离强度大幅降低。此外，实施例2-4所述导电组合物所形成的膜层于140℃下的粘度皆小于0.1Pa.S，因此不会阻碍导电粉体于膜层内的移动，可通过自组装测试。

基于上述，本公开提供一种导电组合物以及利用该导电组合物制造微型发光二极管显示设备的方法。本公开所述导电组合物在形成膜层后(即移除溶剂后)，可在室温下具有黏性，因此可作为各向异性导电胶配置于显示基板之上，并在室温下可暂时固定由载板转移过来的微型发光二极管晶粒。此外，由本公开所述导电组合物所形成的膜层，在进行第一热处理使膜层内的导电粉体形成导电层时，该膜层的有机部分具有小于或等于0.1Pa.s的粘度。如此一来，可使得导电粉体在第一热处理时可在该膜层内移动，并在导电粉体熔融后藉由表面张力差自聚在微型发光二极管晶粒的电极及接触垫之间，达到自对位(自组装)的效果。此外，经由第一热处理可使微型发光二极管晶粒与显示基板上的接触垫电性连结但不会固化该膜层，如此一来，可对显示基板上的该微型发光二极管进行检测，且可对检测后所辨别出的不良微型发光二极管重复该第一热处理，以方便移除该不良微型发光二极管并置换成其他微型发光二极管。

虽然本公开已以多个实施例揭露如上，然其并非用以限定本公开，任何本领域技术人员在不脱离本公开的精神和范围内，应可作任意的更动与润饰，因此本公开的保护范围应视所附权利要求书所界定的范围为准。