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公开/公告号CN112522526A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-19
原文格式PDF
申请/专利权人 云南驰宏国际锗业有限公司;
申请/专利号CN202011333579.5
发明设计人 崔丁方;子光平;彭明清;崔海燕;陈知江;何兴军;缪彦美;廖吉伟;朱家义;
申请日2020-11-25
分类号C22B41/00(20060101);C22B7/00(20060101);
代理机构
代理人
地址 655099 云南省曲靖市翠峰西路南侧、学府路西侧1幢第1-9层、2幢第1-2层
入库时间 2023-06-19 10:19:37
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-10-27
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C22B41/00 专利申请号:2020113335795 申请公布日:20210319
发明专利申请公布后的驳回
机译: 在具有四方晶体结构的水不溶性二氧化锗层中,将位于锗体上的硅藻土二氧化锗层转化为锗的方法
机译: 氟和氟硅锗的锗和氟的回收方法
机译: 一种扩大尺寸的结构中形成硅化物,锗化物或锗硅化物的方法的方法和扩大工艺窗口的方法
机译:使用铟纳米粒子电沉积电沉积电沉积在锗纳米线中的锗纳米线加工过程的影响
机译:锗锗硅/锗锗多量子阱结构中的硅锗互扩散
机译:用于芯片上光互连应用的硅波导中锗和锗/硅锗锗量子阱的选择性区域生长
机译:温度对锗-锗-锗-锗玻璃中辐射跃迁的影响
机译:硅锗本体合金和应变硅(1-x)锗(x)/硅(1-y)锗(y)异质结构中的电子g因子工程
机译:一种改进的基于再生光纤布拉格光栅的含氢硼-锗共掺杂光敏光纤中的金属包装应变传感器用于高温应用
机译:锗原子在锗酸盐晶体中的EXAFS及其在锗酸盐玻璃的化学状态分析中的应用(纪念课题是田四惠教授退休后的研究)
机译:在砷化镓中锗,锗和砷以及锗和镓植入物的光学研究