光开关结构、相关的制造方法以及具有光开关结构和电压源的装置

摘要

本发明公开了一种光开关结构(2)，包括具有n区(5)的半导体衬底(4)，布置在所述半导体衬底(4)的n区侧的氢化SiNx层(8)，与所述n区(5)接触的阴极(9)，和与所述SiNx层(8)接触的阳极(10)，其中，所述光开关结构(2)设置成，当在所述阳极(10)与所述阴极(9)之间施加外部电压时，用光(L)照射所述SiNx层(8)，以切换到非线性导电状态。