一种解决铜铟镓硒太阳能电池光衰问题的缺陷钝化方法

摘要

本发明公开了一种解决铜铟镓硒太阳能电池光衰问题的缺陷钝化方法，包括以下步骤：（1）在衬底上沉积Mo背电极；（2）在Mo背电极上沉积铜铟镓硒光吸收层；（3）在铜铟镓硒光吸收层上沉积CdS缓冲层；（4）在CdS缓冲层上沉积高阻i‑ZnO层和ZnO:Al窗口层，形成铜铟镓硒太阳能电池；（5）对铜铟镓硒太阳能电池进行缺陷钝化处理。本发明能够有效减少铜铟镓硒太阳能电池的缺陷密度，延长铜铟镓硒薄膜太阳能电池的最佳使用寿命，提高户外铜铟镓硒薄膜太阳能电池的实际使用功率。