一种倒装结构蓝光Mico-LED芯片设计制造方法

摘要

本发明属于半导体发光器领域，特别涉及一种倒装结构蓝光Mico‑LED芯片的设计制造方法，该方法采用重掺杂的p++ GaN和n++ GaN形成的隧穿结限制电流路径，降低了接触电阻，提高了Si施主和Mg受主浓度，电子的空穴的辐射复合率提高，内量子效率、取光效率从而得到提高。采用倒装结构Micro‑LED，并利用ITO/DBR分别作为透明导电层和电流阻挡层，有源区发射光子经DBR反射后，从蓝宝石衬底出射到空气中，提高了取光效率。同时还满足了Micro‑LED显示体积小，易制成微型化的需求。Micro‑LED芯片设计为倒装结构，提高了芯片的光电性能、热稳定性能。