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一种用于晶体生长的反射屏装置

摘要

本发明提供一种用于晶体生长的反射屏装置,包括:导流筒,配置为调节熔体和晶体之间的温度;其中,所述导流筒包括第一表面,所述第一表面靠近所述熔体表面;所述导流筒还包括第二表面,所述第二表面靠近所述晶体表面;热辐射通道,所述热辐射通道位于所述第一表面和所述第二表面之间,以将所述第一表面的热量传递到所述第二表面。根据本发明提供的用于晶体生长的反射屏装置,在导流筒的第一表面和第二表面之间设置热辐射通道,以控制熔体表面的热辐射传递到晶体外表面的热通量,从而使固液界面变得较为平坦,且晶体固液界面至其轴向一定高度处的平均温度梯度值在晶体中心和边缘范围内变得相同或相近。

著录项

  • 公开/公告号CN112481694A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海新昇半导体科技有限公司;

    申请/专利号CN201910860775.9

  • 发明设计人 沈伟民;王刚;

    申请日2019-09-11

  • 分类号C30B15/16(20060101);C30B29/06(20060101);

  • 代理机构11336 北京市磐华律师事务所;

  • 代理人高伟

  • 地址 201306 上海市浦东新区临港新城云水路1000号

  • 入库时间 2023-06-19 10:13:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-05

    授权

    发明专利权授予

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