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公开/公告号CN112458536A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-09
原文格式PDF
申请/专利权人 西北工业大学;
申请/专利号CN202011332058.8
发明设计人 殷子昂;张香港;刘珂静;王涛;
申请日2020-11-24
分类号C30B29/40(20060101);C30B11/00(20060101);
代理机构61204 西北工业大学专利中心;
代理人王鲜凯
地址 710072 陕西省西安市友谊西路127号
入库时间 2023-06-19 10:10:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-25
授权
发明专利权授予
机译: 回收沉淀液的氢氧化铝晶体的方法,获得氢氧化铝晶体的方法,乳化的晶体生长改性剂,拜耳法用于生产氢氧化铝晶体的方法。
机译: 一种生长导电熔体晶体的方法,该熔体在金刚石或闪锌矿结构中结晶
机译: 一种旨在生长晶体的方法,其中在kasvattamisprosessin过程中,晶体从熔体中抽出并绕轴旋转
机译:熔体中一种新颖的晶体生长技术:悬浮辅助自种晶体生长方法
机译:从晶体生长实验中的偏析数据估算锗和锑中镓和锑的液相扩散系数
机译:熔体法制备掺La的Y1BA2CU3O7-Y晶体的生长机理。
机译:一种新的晶体生长方法,用于生长伊内生混合晶体.7As:行进液相区(TLZ)方法
机译:通过液体封装熔体区(LEMZ)技术表征在微重力条件下生长的锑化镓晶体。
机译:电子晶体法检测卤代视紫红质至5Å的三维结构:使用整体参考结构对二维晶体进行弯曲的新方法
机译:根据接触熔体液位传感器的闭合条件控制,根据Czochralski方法测量从液态熔体生长的晶体的面积
机译:研究Czochralski液封晶体生长技术。