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公开/公告号CN112464459A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-09
原文格式PDF
申请/专利权人 中国舰船研究设计中心;
申请/专利号CN202011313744.0
发明设计人 温定娥;吴为军;方重华;王冬冬;张崎;
申请日2020-11-20
分类号G06F30/20(20200101);
代理机构42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司;
代理人胡建平;刘琰
地址 430064 湖北省武汉市武昌区紫阳路268号
入库时间 2023-06-19 10:08:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-23
授权
发明专利权授予
机译: 近场光发生元件,磁场产生元件,光辐射装置,记录和再生产装置,辐射控制程序,带有程序记录的计算机可读记录介质以及辐射控制方法
机译: 近场通信天线,近场通信天线的印刷电路板以及近场通信天线的制造方法
机译: 用于估计近场MIMO通信信道特性的近场MIMO天线阵列及方法,系统和计算机可读记录介质
机译:一种有效的合成方法,它使用从线性激发阵列天线的辐射转换而来的可替代窄波束场函数,以最小的计算复杂度来对电磁近场和远场轮廓模式进行合成
机译:天线阵列辐射器之间相互耦合计算的一种新方法:分析天线阵列中单个辐射器的辐射方向图。
机译:用内部来源测量集成天线的辐射图案:一种可释放的近场技术
机译:一种基于近场扫描的改进偶极矩模型,用于表征IC的近场耦合和远场辐射。
机译:一种能够测量膜之间近场热辐射的MEMS器件
机译:天线近场中导弹天线罩的辐射方向图计算
机译:天线近场导弹天线罩辐射模式计算