三维存储器及氮化钛粘合层的形成方法

摘要

本申请实施例提供一种三维存储器及氮化钛粘合层的形成方法，其中，所述三维存储器的形成方法包括：在待处理的叠层结构中形成孔道结构；采用原子层沉积工艺，充入反应前驱体，在所述孔道结构中形成掺杂有氯离子的氮化钛粘合层，其中，所述氮化钛粘合层具有第一电阻率；采用预设气体的等离子体以预设处理参数处理所述氮化钛粘合层，使得所述预设气体的等离子体与所述氮化钛粘合层中的氯离子发生反应，以去除所述氯离子，得到处理后的氮化钛粘合层，其中，所述处理后的氮化钛粘合层具有第二电阻率，且所述第二电阻率小于所述第一电阻率；在所述处理后的氮化钛粘合层表面沉积金属层，以形成所述三维存储器。