用于光电化学阴极保护的纳米片阵列复合光电材料及制备和应用

摘要

本发明属于光电化学阴极保护领域，具体地讲，本发明涉及一种用于模拟真实海洋环境下的光电化学阴极保护的纳米片阵列复合光电材料及其制备方法和应用。本发明通过简单的一步水热法合成具有高能晶面的TiO2纳米片阵列基底薄膜，并通过两次连续离子层吸附反应(SILAR)在纳米片表面沉积AgInSe2/In2Se3纳米复合层构成多相异质结体系。与单一AgInSe2敏化的TiO2纳米片阵列光阳极相比，AgInSe2/In2Se3/TiO2多相异质结的构建进一步优化了能带的匹配，降低了电荷转移势垒，有助于增强光电转换性能。在模拟太阳光照射下，当复合材料与不锈钢或铜等金属材料偶联时，可产生较大的光生电流，在模拟海洋环境中展现了高效的光电化学阴极保护性能。本发明具有实验操作简单易行，产品绿色高效，光电转换效率高的特点。