一种多物理场对晶体转化和生长定向调控的方法

摘要

本发明公开了多物理场对晶体转化和生长定向调控的方法，该方法是将晶体基元置于在转晶介质溶液中，以1~5℃/min的升温速率升温至50℃，同时施加20~36V电场和100~600转/min搅拌，温度升到50℃后继续在50℃、搅拌、电场作用下处理10~30min后；在20~100转/min搅拌、0.6~15V电场作用下，将温度以0.05~1℃/min的升温速率上升至80~100℃；停止加热，在0.04~1mT磁场作用下，以1~5℃/min的降温速率降温至室温，最后取出结晶干燥即得晶体；该方法合成的晶体具有较高的完整性，晶体形状、结构和生长方向易于控制，该方法成本较低并且切实可行。