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公开/公告号CN112420489A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-26
原文格式PDF
申请/专利权人 ASM IP私人控股有限公司;
申请/专利号CN202010830240.X
发明设计人 E.C.斯蒂芬斯;B.佐普;S.斯瓦米纳坦;C.德泽拉;谢琦;G.A.沃尼;
申请日2020-08-18
分类号H01L21/02(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人焦玉恒
地址 荷兰阿尔梅勒
入库时间 2023-06-19 10:00:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-26
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 专利申请号:202010830240X 申请日:20200818
实质审查的生效
机译: 通过循环沉积工艺和包括氮化硼膜的相关半导体器件结构在基板表面上沉积氮化钼膜的方法
机译: 包括氮化钼,氧氮化钼或钼基合金材料的半导体结构及其制造方法
机译: 包括氮化钼,钼氧化钼或钼基合金材料的半导体结构及其制造方法
机译:热处理对磁控溅射制备的氮化钼和钼碳氮化膜的结构和性能的影响
机译:沉积条件对溅射沉积的钼和反应溅射沉积的氮化钼膜的机械应力和显微组织的影响
机译:在各种溅射参数下沉积在钼电极上的氮化铝膜
机译:基于钼和氮化铬的多层过渡金属膜的相组成和微晶尺寸研究
机译:氮化钼膜的离子束辅助沉积和碳氮键活化特性
机译:均匀装饰的碳化钼/氮化物纳米结构放氢反应应用的生物质模板研究
机译:用原子层沉积制备钼二硫化钼的结构演变,实现微电子应用中大型膜的大规模膜
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。