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沉积氮化钼膜的方法和包括氮化钼膜的半导体装置结构

摘要

公开了用于将氮化钼膜沉积在衬底表面上的方法。所述方法可以包括:将衬底提供到反应室中;以及通过执行循环沉积工艺的一个或多个单元沉积循环将氮化钼膜直接沉积在衬底表面上,其中单元沉积循环可以包括使衬底与包含卤化钼前体的第一气相反应物接触,并且使衬底与包含氮前体的第二气相反应物接触。还公开了包括氮化钼膜的半导体装置结构。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-08-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 专利申请号:202010830240X 申请日:20200818

    实质审查的生效

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