公开/公告号CN112422113A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-26
原文格式PDF
申请/专利权人 上海国微思尔芯技术股份有限公司;
申请/专利号CN202011237606.9
申请日2020-11-09
分类号H03K19/0175(20060101);G01R31/3185(20060101);
代理机构11718 北京清大紫荆知识产权代理有限公司;
代理人李思琼;冯振华
地址 201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区秋山路1775弄29、30号6楼27室
入库时间 2023-06-19 10:00:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-30
著录事项变更 IPC(主分类):H03K19/0175 专利申请号:2020112376069 变更事项:申请人 变更前:上海国微思尔芯技术股份有限公司 变更后:上海思尔芯技术股份有限公司 变更事项:地址 变更前:201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区秋山路1775弄29、30号6楼27室 变更后:201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区秋山路1775弄29、30号6楼27室
著录事项变更
机译: 具有内部TCM和外部多级RS级联码的级联码的多级解码电路和方法,用于该级联码的用于闪存的纠错电路,以及使用该级联级码的闪存设备
机译: 具有内部TCM和外部多级RS级联码的级联码的多级解码电路和方法,用于该级联码的用于闪存的纠错电路,以及使用该级联级码的闪存设备
机译: 先进先出型存储电路,例如静态RAM,具有级联链,每个级联有两个NMOS晶体管,以及编码器电路,用于对要存储的信息进行编码,以禁止在级联链中存储两个连续的级联