仿生突触晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种仿生突触晶体管的制备方法，包括：S1、提供衬底，在衬底的一表面形成源电极和漏电极；S2、制备沟道层前驱体水溶液，并在源电极、漏电极和衬底上旋涂形成沟道层；S3、制备电荷俘获‑隧穿层前驱体水溶液，并在沟道层上旋涂形成电荷俘获‑隧穿层；S4、制备铁电绝缘层前驱体水溶液，并在电荷俘获‑隧穿层上旋涂形成铁电绝缘层；S5、在铁电绝缘层上表面形成栅电极，得到仿生突触晶体管。整个制备工艺可在非真空大气条件下进行，并且温度不超过300℃，属于低温工艺，工艺简单，无需传统意义上的光刻与真空镀膜，可大幅减少制备时长，生产成本较低，得到的仿生突触晶体管基于可在感受器、存储器和人工智能领域中有重要应用潜力。