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公开/公告号CN112391603A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-23
原文格式PDF
申请/专利权人 北京信息科技大学;
申请/专利号CN202011280482.2
发明设计人 孔全存;祝福莉;徐荣福;陈鑫鸣;汪子锐;李霄;陈寒放;
申请日2020-11-16
分类号C23C16/04(20060101);C23C16/448(20060101);C25F7/00(20060101);
代理机构11710 北京开阳星知识产权代理有限公司;
代理人杨中鹤;麻雪梅
地址 100192 北京市海淀区清河小营东路12号
入库时间 2023-06-19 09:58:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-08
授权
发明专利权授予
机译: 基于等离子气相沉积法的化学气相沉积膜及其形成方法
机译: 氯硅烷气相沉积法制备中空窗单元并形成基于氧化硅的亲水涂层的方法
机译:在SrRuO_3 / Pt电极上沉积的(111)取向的Pb(Zr,Ti)O_3膜:金属有机化学气相沉积法可重现的制备,顶部电极的影响和可靠性
机译:垂直插入的碳纳米管电极的制造方法是使用用于化学传感器的网格插入等离子体增强化学气相沉积法
机译:绝缘层上气相气相沉积金属的动力学
机译:中空阴离子电子束气相沉积法研究氮化铝薄膜沉积
机译:用于深亚微米MOSFET技术的快速热化学气相沉积侧壁间隔电介质。
机译:基于气相沉积法的氧化铝晶须的建模与合成
机译:新型SWCNT电极性能的改进通过电化学沉积法通过电化学沉积方法进行三维多孔RVC复合电极
机译:用于高温电极的铑 - 钨合金通过光解化学气相沉积法沉积