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一种用于5G设备的半导体存储封装及其制备方法

摘要

本发明涉及一种用于5G设备的半导体存储封装及其制备方法,通过在有机模塑层的一侧设置多个第一凸起,并在有机模塑层的该侧的边缘处设置第一凹槽,进而使得第一金属布线层的一部分位于所述第一凸起的表面,所述第一金属布线层的另一部分嵌入到所述第一凹槽中,上述结构的设置可以降低半导体存储封装生产和使用过程中因碰撞、弯折等导致线路损坏的几率。而在后续的制备过程中,通过在所述线路基板中设置一凹腔,进而将半导体控制芯片设置于该凹腔中,进而可以在所述线路基板的上表面和下表面分别设置多个第一半导体存储模块,可以有效增加存储模块的数量,进而可以提高半导体存储封装的集成度。

著录项

  • 公开/公告号CN112382575A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 济南南知信息科技有限公司;

    申请/专利号CN202011252941.6

  • 发明设计人 侯新飞;崔文杰;

    申请日2020-11-11

  • 分类号H01L21/48(20060101);H01L21/56(20060101);H01L21/60(20060101);H01L25/065(20060101);

  • 代理机构11676 北京华际知识产权代理有限公司;

  • 代理人叶宇

  • 地址 250000 山东省济南市历城区北园大街9号荣盛时代国际广场A座707

  • 入库时间 2023-06-19 09:55:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-23

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L21/48 专利申请号:2020112529416 登记生效日:20220909 变更事项:申请人 变更前权利人:济南南知信息科技有限公司 变更后权利人:苏州明彰半导体技术有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:250000 山东省济南市历城区北园大街9号荣盛时代国际广场A座707 变更后权利人:215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区星湖街328号创意产业园内5-B601单元

    专利申请权、专利权的转移

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