基于柔性的氧化镓/氮化镓结构的光电探测器及制备方法

摘要

本发明属于光电探测器的技术领域，具体涉及一种基于柔性的氧化镓/氮化镓结构的光电探测器及制备方法。所述光电探测器的结构为依次排布的电极、柔性衬底、p‑GaN层、GaN层、n型β‑Ga2O3层以及电极；所述n型β‑Ga2O3层为利用Si掺杂得到，其一表面为微纳倒梯形结构，所述为微纳倒梯形结构为经过光刻和湿法刻蚀等形成多个倒梯形结构紧密排布形成，所采用的柔性导电衬底，可应用于便携式可穿戴紫外线检测等领域，当器件向上弯曲可使氮化镓产生压电电荷，更容易使空穴‑电子对分离且加快载流子迁移率，所采用的背照式倒梯形结构可大幅度地提高探测器的光吸收效率，使得光电探测器具有更高的灵敏度和更快的响应速度。