一种齐纳管集成电路结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种齐纳管集成电路结构，包括外壳体、稳压芯片和稳定件，所述稳定件设置于所述稳压芯片的外侧，并分别与所述外壳体和所述稳压芯片连接，所述外壳体包覆于所述稳压芯片设置，所述稳定件包括固定抵脚、弹性件和定型圈，所述固定抵脚的一端与所述定型圈固定连接，所述固定抵脚的另一端与所述弹性件固定连接，所述弹性件设置于所述固定抵脚与所述外壳体之间，本发明还公开了上述所述一种齐纳管集成电路结构的制造方法，在现有技术的基础上，改进齐纳管电路结构，利用固定抵脚、弹性件和外壳体的相互配合，从而使得齐纳管集成电路结构能有效抵抗外界的压力，从而避免齐纳管的内部组件损坏，从而使得齐纳管的使用寿命得到延长。

说明书

技术领域

本发明涉及齐纳管技术领域，尤其涉及一种齐纳管集成电路结构及其制造方法。

背景技术

齐纳管又称稳压二极管，其电流可以在很大的范围变化，而电压基本不变，现有技术中，齐纳管在使用时，由于齐纳管的结构强度较低，在工作的过热状态下，受到外界压力，会使得内部的组件受损，进而缩短使用寿命。

发明内容

本发明为了解决现有技术中，齐纳管在工作的过热状态时，受外界压力的情况下会损坏内部组件，导致使用寿命下降的问题，提出了一种齐纳管集成电路结构及其制造方法。

一种齐纳管集成电路结构，包括外壳体、稳压芯片和稳定件，所述稳定件设置于所述稳压芯片的外侧，并分别与所述外壳体和所述稳压芯片连接，所述外壳体包覆于所述稳压芯片设置，所述稳定件包括固定抵脚、弹性件和定型圈，所述固定抵脚的一端与所述定型圈固定连接，所述固定抵脚的另一端与所述弹性件固定连接，所述弹性件设置于所述固定抵脚与所述外壳体之间。

其中，所述定型圈包括若干环形板和支撑柱，若干所述环形板环绕所述稳压芯片设置，所述支撑柱则设置于若干所述环形板之间。

其中，所述固定抵脚包括设有稳定孔的抵接凸起和支撑杆，所述支撑杆的两端分别与所述抵接凸起和所述定型圈固定连接，所述抵接凸起设置于所述支撑杆远离所述稳压芯片的一端，并与所述弹性件固定连接，所述稳定孔沿所述抵接凸起的长度延伸方向贯穿所述抵接凸起。

其中，所述外壳体包括第一电极引脚、第二电极引脚、封装壳、单向膜销和单向膜套，所述封装壳设置于所述稳定件的外周侧，所述第一电极引脚贯穿所述封装壳与所述稳压芯片连接，所述第二电极引脚设置于所述封装壳的上侧，所述单向膜销设置于所述封装壳的下侧，并包覆所述第一电极引脚，所述单向膜套设于所述封装壳的上侧，并包覆所述第二电极引脚。

其中，所述单向膜销具有外螺纹、连通孔和连接端，所述连通孔设置于所述连接端的内部，并与所述第一电极引脚契合，所述外螺纹设置于所述连接端的外周侧，并与所述单向膜套螺纹连接。

其中，所述单向膜套具有外部环套和内螺纹槽，所述内螺纹槽设置于所述外部环套的内部，并与所述单向膜销螺纹连接，所述外部环套设于所述第二电极引脚的外侧。

本发明还提出如上述所述的一种齐纳管集成电路结构的制造方法，包括如下步骤：

采用压铸模具将封装壳压铸成型；

在封装壳的内部安装稳压芯片及稳定件；

在封装壳的上下两侧分别安装第二电极引脚和第一电极引脚使之与稳压芯片电性连接；

将单向膜套和单向膜销分别安装在第二电极引脚的外侧和第一电极引脚的外侧即可完成对齐纳管集成电路结构的制造。

本发明的有益效果为：在现有技术的基础上，改进齐纳管电路结构，利用固定抵脚、弹性件和外壳体的相互配合，从而使得齐纳管集成电路结构能有效抵抗外界的压力，从而避免齐纳管的内部组件损坏，从而使得齐纳管的使用寿命得到延长。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明一种齐纳管集成电路结构的结构示意图。

图2是本发明一种齐纳管集成电路结构的稳定件的俯视结构示意图。

图3是本发明一种齐纳管集成电路结构的制造方法的步骤示意图。

10-外壳体、20-稳压芯片、30-稳定件、11-第一电极引脚、12-第二电极引脚、13-封装壳、14-单向膜销、15-单向膜套、31-固定抵脚、32-弹性件、33-定型圈、131-散热孔、132-限制杆、133-限制端头、141-外螺纹、142-连通孔、143-连接端、151-外部环套、152-内螺纹槽、311-抵接凸起、312-支撑杆、313-稳定孔、331-环形板、332-支撑柱。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

请参阅图1至图3，本发明提供一种技术方案：

一种齐纳管集成电路结构，包括外壳体10、稳压芯片20和稳定件30，所述稳定件30设置于所述稳压芯片20的外侧，并分别与所述外壳体10和所述稳压芯片20连接，所述外壳体10包覆于所述稳压芯片20设置，所述稳定件30包括固定抵脚31、弹性件32和定型圈33，所述固定抵脚31的一端与所述定型圈33固定连接，所述固定抵脚31的另一端与所述弹性件32固定连接，所述弹性件32设置于所述固定抵脚31与所述外壳体10之间。

在本实施方式中，所述外壳体10用以保护齐纳管的内部结构，所述稳压芯片20用以控制穿过齐纳管的电路的电流大小，所述稳定件30用以提升所述外壳体10与所述稳压芯片20之间的结构强度，避免所述外壳体10产生变形损坏所述稳压芯片20，所述固定抵脚31与所述定型圈33固定连接，并利用所述弹性件32与所述外壳体10连接，当所述外壳体10受到压力发生形变时，可以通过所述弹性件32来有效减少形变对所述稳压芯片20的冲击，从而减少对所述稳压芯片20的内部组件的伤害。

进一步的，所述定型圈33包括若干环形板331和支撑柱332，若干所述环形板331环绕所述稳压芯片20设置，所述支撑柱332则设置于若干所述环形板331之间。

在本实施方式中，若干所述环形板331用以支撑所述稳压芯片20，以有效提升所述稳压芯片20的结构强度，即使所述弹性件32受损，也不会使得所述稳压芯片20的结构发生变形，而出现内部组件受损的情况，而所述支撑柱332设置于相邻的两个所述环形板331之间，用以提升所述环形板331的结构强度，从而使得所述环形板331能承担对所述稳压芯片20的保护作用。

进一步的，所述固定抵脚31包括设有稳定孔313的抵接凸起311和支撑杆312，所述支撑杆312的两端分别与所述抵接凸起311和所述定型圈33固定连接，所述抵接凸起311设置于所述支撑杆312远离所述稳压芯片20的一端，并与所述弹性件32固定连接，所述稳定孔313沿所述抵接凸起311的长度延伸方向贯穿所述抵接凸起311。

在本实施方式中，所述抵接凸起311用以与所述弹性件32连接，所述支撑杆312用以连接所述抵接凸起311和所述环形板331，而所述稳定孔313用以与所述封装壳13配合，从而使得所述抵接凸起311能与所述封装壳13滑动连接。

进一步的，所述外壳体10包括第一电极引脚11、第二电极引脚12、封装壳13、单向膜销14和单向膜套15，所述封装壳13设置于所述稳定件30的外周侧，所述第一电极引脚11贯穿所述封装壳13与所述稳压芯片20连接，所述第二电极引脚12设置于所述封装壳13的上侧，所述单向膜销14设置于所述封装壳13的下侧，并包覆所述第一电极引脚11，所述单向膜套15设于所述封装壳13的上侧，并包覆所述第二电极引脚12。

在本实施方式中，所述第一电极引脚11和所述第二电极引脚12用以引导电流，所述封装壳13用以封闭所述稳压芯片20，所述单向膜销14与所述单向膜套15相互配合，从而使得齐纳管集成电路结构能有效形成串联。

进一步的，所述单向膜销14具有外螺纹141、连通孔142和连接端143，所述连通孔142设置于所述连接端143的内部，并与所述第一电极引脚11契合，所述外螺纹141设置于所述连接端143的外周侧，并与所述单向膜套15螺纹连接。

在本实施方式中，所述外螺纹141用以与所述单向膜套15配合，从而实现单向膜套15与所述单向膜销14的连接的固定，所述连通孔142用以让所述第一电极引脚11穿过，从而使得所述第一电极引脚11能与所述第二电极引脚12电性连接，所述连接端143则用以包覆所述第一电极引脚11，从而实现对所述第一电极引脚11的保护。

进一步的，所述单向膜套15具有外部环套151和内螺纹槽152，所述内螺纹槽152设置于所述外部环套151的内部，并与所述单向膜销14螺纹连接，所述外部环套151设于所述第二电极引脚12的外侧。

在本实施方式中，所述外部环套151用以保护所述内螺纹槽152，并使得所述内螺纹槽152设置于所述外部环套151中，并对所述第二电极引脚12具有一定的保护效果。

进一步的，所述封装壳13包括限制杆132和限制端头133，所述限制杆132与所述稳定孔313相契合，并贯穿所述抵接凸起311，所述限制端头133设置于所述限制杆132远离所述封装壳13的一侧，并与所述弹性件32固定连接。

在本实施方式中，所述限制杆132用以与所述稳定孔313契合，以使得所述封装壳13与所述稳定件30连接，从而具有对所述稳压芯片20的保护能力，而所述限制端头133则用以连接所述弹性件32，使得在所述封装壳13受到外界压力时，产生的形变带动所述限制杆132移动，并利用所述弹性件32来降低移动导致的对所述稳压芯片20的冲击，从而避免对所述稳压芯片20的损坏。

进一步的，所述封装壳13还具有若干散热孔131，若干所述散热孔131均设置于所述封装壳13的上侧，并均贯穿所述封装壳13。

在本实施方式中，所述散热孔131用以散热，避免所述封装壳13在工作时因热量堆积，导致出现形变，而最终影响所述稳压芯片20的内部组件。

本发明还提出如上述所述的一种齐纳管集成电路结构的制造方法，包括如下步骤：

S101采用压铸模具将封装壳13压铸成型；

S102在封装壳13的内部安装稳压芯片20及稳定件30；

S103在封装壳13的上下两侧分别安装第二电极引脚12和第一电极引脚11使之与稳压芯片20电性连接；

S104将单向膜套15和单向膜销14分别安装在第二电极引脚12的外侧和第一电极引脚11的外侧即可完成对齐纳管集成电路结构的制造。

本发明在现有技术的基础上，改进齐纳管集成电路结构的结构，利用固定抵脚31、弹性件32和外壳体10的相互配合，从而使得齐纳管集成电路结构能有效抵抗外界的压力，从而避免齐纳管的内部组件损坏，从而使得齐纳管的使用寿命得到延长。

以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。