公开/公告号CN112346657A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-09
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN202010576077.9
发明设计人 比纳塔·巴特查里亚;保罗·S·迪芬鲍;
申请日2020-06-22
分类号G06F3/06(20060101);
代理机构11258 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;
代理人姜飞
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 09:51:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-26
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 3/06 专利申请号:2020105760779 申请日:20200622
实质审查的生效
机译: 降低功率状态下的存储器访问技术
机译: 用于降低泄漏功率的数据访问之前的静态随机访问存储器SRAM中的SRAM预充电位线及相关系统和方法
机译: 用于降低系统存储器中的功率状态的各种装置和方法