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三维集成电路缺陷聚簇容错结构及其聚簇故障容错方法

摘要

本发明公开了一种三维集成电路缺陷聚簇容错结构,用于3D‑IC设计的分层的、可靠的和重构的缺陷聚簇感知的架构R2CA。考虑方位、几何和生命周期的抽象层提出TSV缺陷聚簇感知设计。首先,在方位层,与当前先进的使用相邻或远处的冗余TSV进行重布线的架构不同,作者引入了基于最小顶点覆盖的有向重布线方法对缺陷TSV重布线。该重布线过程通过引入TSV分组实现缺陷的分类。组(Bin)号定义为与之相邻的缺陷TSV的总数。有缺陷的TSV通过其相邻的具有最小编号的无缺陷的TSV(最小的组)最小化TSV缺陷聚簇效应完成重布线。该架构可以容错多个缺陷,通过考虑无冗余TSV架构的方位、几何结构和生命周期,解决了TSV缺陷聚簇效应。

著录项

  • 公开/公告号CN112329363A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 安徽工程大学;

    申请/专利号CN202011218063.6

  • 申请日2020-11-04

  • 分类号G06F30/33(20200101);G06F30/337(20200101);G06F119/02(20200101);H01L23/48(20060101);

  • 代理机构34107 芜湖安汇知识产权代理有限公司;

  • 代理人钟雪

  • 地址 241000 安徽省芜湖市鸠江区北京中路8号

  • 入库时间 2023-06-19 09:49:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-11

    授权

    发明专利权授予

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