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温郁金脱毒苗培养方法

摘要

本发明公开了一种温郁金脱毒苗培养方法,包括以下步骤:选取温郁金的主根茎进行催芽,直至在主根茎上获得健壮芽;割取健壮芽后进行清洗,剥去外层芽鞘,挑取生长点接入诱导萌发分化培养基中进行培养;所得的脱毒幼苗转接于增殖培养基上进行增殖培养和重复培养;培养所得的单株小苗转移到生根壮苗培养基上进行培养,直至获得可出瓶种植的种苗。采用本发明的方法可以在相对较短周期内生产大量遗传背景相同、长势一致的优质种苗,尤其适用于温郁金脱毒苗工厂化育苗。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-03

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):A01H 4/00 专利申请号:2020111970204 申请公布日:20210129

    发明专利申请公布后的驳回

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