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一种非厄米调制下二维光子晶体的拓扑态结构

摘要

本发明所述的一种非厄米调制下二维光子晶体的拓扑态结构,包括由多层晶胞排列组成的拓扑非平庸层、缺陷层和拓扑平庸层,依次按照拓扑非平庸层、缺陷层、拓扑平庸层、缺陷层、拓扑非平庸层的顺序排列构成。本发明所述的有益效果为:设计具有PT对称构型的二维光子晶体,通过增益系数的改变,实现拓扑相变;构建了由拓扑非平庸结构和拓扑平庸结构形成的边界态,该边界态具有拓扑相和非厄米调制的双重特征;通过源位置的选择,可以让拓扑相调制和非厄米调制分别发挥作用,两者均可以激发单向传输。

著录项

  • 公开/公告号CN112285822A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202011144991.2

  • 发明设计人 朱宇光;

    申请日2020-10-23

  • 分类号G02B6/02(20060101);G02B27/00(20060101);

  • 代理机构32243 南京正联知识产权代理有限公司;

  • 代理人顾伯兴

  • 地址 213164 江苏省常州市武进区鸣新中路28号

  • 入库时间 2023-06-19 09:43:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-17

    授权

    发明专利权授予

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