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一种去除硅片表面吸附纳米级颗粒物的装置及方法

摘要

本发明属于半导体表面清洁相关技术领域,其公开了一种去除硅片表面吸附纳米级颗粒物的装置及方法,装置包括真空组件及连接于真空组件的液滴发射及加速组件;液滴发射与加速组件包括液体存储器、石墨电极、PEEK毛细管、熔融石英毛细管及接地的萃取电极;液体存储器设置在真空组件上方,其用于收容导电溶液;石墨电极设置在液体存储器上,其两端分别用于与直流电源相连接及与导电液体相接触;PEEK毛细管的一端与液体存储器相连接,另一端与熔融石英毛细管相连接,熔融石英毛细管的一端伸入真空组件内;萃取电极设置在真空组件内,且其与熔融石英毛细管所形成的发射尖端相对设置。本发明提高了清洁效率,降低了成本,实现移除后无液体残留。

著录项

  • 公开/公告号CN112275696A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN202010974153.1

  • 发明设计人 许剑锋;张吉韬;贾凯;

    申请日2020-09-16

  • 分类号B08B3/02(20060101);B08B13/00(20060101);H01L21/02(20060101);

  • 代理机构42201 华中科技大学专利中心;

  • 代理人孔娜;李智

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2023-06-19 09:41:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-02-15

    授权

    发明专利权授予

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