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高频高线性输入缓冲器和高频高线性输入缓冲器差分电路

摘要

高频高线性输入缓冲器和高频高线性输入缓冲器差分电路,涉及集成电路技术。本发明的高频高线性输入缓冲器包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和信号平移单元,第一MOS管的栅端作为缓冲器的输入端,第一MOS管的电流输出端作为缓冲器的输出端;第一MOS管的电流输入端连接第二MOS管的电流输出端,第一MOS管的电流输出端连接第三MOS管的电流输入端,第二MOS管的电流输入端连接第三MOS管的栅端,信号平移单元的输入端接缓冲器的输入端,信号平移单元的输出端接第二MOS管的栅端,第三MOS管的输出端接地,第二MOS管的电流输入端接有源偏置电流电路。本发明有效的提高了输入线性度和输出线性度。

著录项

  • 公开/公告号CN112260681A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都华微电子科技有限公司;

    申请/专利号CN202011152687.2

  • 发明设计人 杨金达;岑远军;罗建;

    申请日2020-10-26

  • 分类号H03K19/0185(20060101);

  • 代理机构51215 成都惠迪专利事务所(普通合伙);

  • 代理人刘勋

  • 地址 610000 四川省成都市高新区益州大道中段1800号1栋22层

  • 入库时间 2023-06-19 09:38:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-29

    著录事项变更 IPC(主分类):H03K19/0185 专利申请号:2020111526872 变更事项:申请人 变更前:成都华微电子科技有限公司 变更后:成都华微电子科技股份有限公司 变更事项:地址 变更前:610000 四川省成都市高新区益州大道中段1800号1栋22层 变更后:610041 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区益州大道中段1800号1栋22-23层2201、2301号

    著录事项变更

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