一种甲脒基钙钛矿薄膜的后修复方法

摘要

本发明属于薄膜材料的制备方法，具体涉及一种通过后气体修复方式的甲脒基钙钛矿薄膜的后修复方法。在0℃到100℃下，将甲脒基钙钛矿(结构式为ABX3)初始薄膜经氨气、含氨气的混合气体或含氨气的溶液中处理0.1s—30min，进而实现对甲脒基钙钛矿薄膜的均匀性得以提升；或，在形成初始薄膜的前驱体溶液中通入氨气，直接制备高均匀性甲脒基钙钛矿薄膜。本发明工艺比蒸发法和连续沉积法更易操作，成本低廉，适用于大规模生产；与现有的一步溶液法相比，本发明的方法可以实现大面积制备，且具有较高的结晶质量，进而使得获得的膜可胜任多种器件结构，如介孔和平面钙钛矿太阳能电池、二极管和激光器等。