单根Rh@ZnO微米线异质结紫外增强发光二极管及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种单根Rh@ZnO微米线异质结紫外增强发光二极管，包括p‑GaN衬底(1)，所述p‑GaN衬底(1)的上表面一侧蒸镀Ni/Au电极(3)，所述p‑GaN衬底(1)的上表面另一侧放置有n‑Rh@ZnO单根微米线(2)，所述n‑Rh@ZnO单根微米线(2)的上表面覆盖有ITO导电电极(4)。本发明还公开了上述发光二极管的制备方法及其应用。本发明的n‑Rh@ZnO单根微米线与p‑GaN衬底形成有效的异质结结构，异质结的I‑V特性显示整流二极管的特性，在正向偏压下，单根Rh@ZnO微米线异质结呈现出高效稳定的紫外发光，实现了增强紫外发光二极管，促进了其在紫外光源领域的应用。