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一种改善碳基薄膜耐磨性能的深冷处理工艺

摘要

本发明涉及一种改善碳基薄膜耐磨性能的深冷处理工艺,该工艺是指:将碳基薄膜置于充满深冷介质的密闭设备中,在降温速率为2~5℃/min、处理温度为‑100℃~‑200℃±1℃的条件下保温处理4 h~24 h,得到深冷处理后的碳基薄膜;所述深冷处理后的碳基薄膜置于空气中进行回温处理即可。本发明工艺简单、成本低,可使碳基薄膜硬度明显增加,满足不同领域的需求,不但延长了碳基薄膜的使用寿命,而且极大地改善碳基薄膜耐磨性能。

著录项

  • 公开/公告号CN112209361A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院兰州化学物理研究所;

    申请/专利号CN202011131229.0

  • 申请日2020-10-21

  • 分类号C01B32/05(20170101);C01B32/156(20170101);C01B32/21(20170101);C01B32/184(20170101);

  • 代理机构62002 兰州中科华西专利代理有限公司;

  • 代理人曹向东

  • 地址 730000 甘肃省兰州市城关区天水中路18号

  • 入库时间 2023-06-19 09:32:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-24

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01B32/05 专利申请号:2020111312290 申请公布日:20210112

    发明专利申请公布后的驳回

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