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公开/公告号CN112216797A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-12
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN202011072519.2
发明设计人 万中全;杨进宇;罗军生;贾春阳;
申请日2020-10-09
分类号H01L51/42(20060101);H01L51/46(20060101);H01L51/48(20060101);
代理机构51203 电子科技大学专利中心;
代理人吴姗霖
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 09:32:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-06-03
授权
发明专利权授予
机译: 有机发光部件具有分别由p掺杂和n掺杂的空穴传输层形成的连接单元,以及分别由有机n掺杂剂和p掺杂剂材料形成的n型和p型点层。
机译: 具有高三重态能量的磷光材料,可防止从掺杂剂到空穴传输层或电子传输层的反向转移
机译: 掺杂和未掺杂空穴和电子传输层的材料
机译:无掺杂Spiro-OMeTAD作为空穴传输层,用于稳定而高效的钙钛矿太阳能电池
机译:锡掺杂SBLN纳米材料中用于混合太阳能电池应用的空穴/电子传输层
机译:氯癌素化物在钙钛矿太阳能电池中作为电子传输层和掺杂材料的应用
机译:具有无机掺杂的空穴传输层的有机发光二极管的性能增强。
机译:钙钛矿型太阳能电池中LiTFSI掺杂Spiro-OMeTAD空穴传输层的等离子体暴露诱导迁移性增强及其对器件性能的影响
机译:通过Li-TFSI掺杂直接观察钙钛矿太阳能电池材料Spiro-OMeTAD中空穴形成的显着增强
机译:光诱导电子 - 空穴电荷分离,本征自掺杂和Q1D异质结材料的新型应用:混合卤化物mX固体