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冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及其制备方法和应用

摘要

一种冠醚类材料掺杂Spiro‑OMeTAD的空穴传输层及其制备方法和应用,属于太阳能电池技术领域。所述空穴传输层为冠醚类材料掺杂的Spiro‑OMeTAD,其中,冠醚类材料与Spiro‑OMeTAD的摩尔比为(0.0003~0.0093):1。本发明提供的空穴传输层,与未掺杂的空穴传输层相比,冠醚类材料能够与Li+形成大环螯合结构,促进Li‑TFSI在有机溶剂(氯苯、氯仿等)中的溶解,能够有效阻止Li‑TFSI的聚集;此外,这样的螯合结构能够有效改善Li‑TFSI的吸湿性以及有效抑制Li+迁移到钙钛矿太阳能电池的其他层;同时,工艺简单,制备的太阳能电池在保持光电转换效率的同时稳定性大大提升。

著录项

  • 公开/公告号CN112216797A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN202011072519.2

  • 发明设计人 万中全;杨进宇;罗军生;贾春阳;

    申请日2020-10-09

  • 分类号H01L51/42(20060101);H01L51/46(20060101);H01L51/48(20060101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人吴姗霖

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-06-19 09:32:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-03

    授权

    发明专利权授予

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