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公开/公告号CN112201688A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-08
原文格式PDF
申请/专利权人 株洲中车时代半导体有限公司;
申请/专利号CN202010864142.8
发明设计人 朱利恒;罗海辉;肖强;覃荣震;王梦洁;
申请日2020-08-25
分类号H01L29/739(20060101);H01L29/06(20060101);
代理机构11372 北京聿宏知识产权代理有限公司;
代理人吴大建;金淼
地址 412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室
入库时间 2023-06-19 09:29:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-04-07
授权
发明专利权授予
机译: 制造具有侧面倾斜的防逆型IGBT的方法
机译: 使用逆T型梁制造逆T型梁,逆T型梁THEROF和梁桥的方法
机译: 半导体装置具有IGBT,该IGBT的栅极由在p导电层上形成的n型半导体层上的栅极绝缘体形成,晶闸管远离IGBT
机译:用嵌入式P型肖特基势垒二极管进行一种新型卷发逆逆向传导SOI-LIGBT的仿真研究
机译:HiSIM-IGBT:用于电力电子电路设计的紧凑型Si-IGBT模型
机译:Ephxin2介导的EphA2丝氨酸897磷酸化调节Ephexin4介导的细胞迁移和神经阻逆作用☆ sup>
机译:IGBT模块中逆导二极管优化的动态雪崩考虑因素
机译:开发多芯片IGBT功率电子模块的电热模型。
机译:使用逆设计演示集成纳米光电芯片级碱蒸气仪
机译:800V Si L-IGBT的板载芯片装配,用于高性能超紧凑型LED驱动器
机译:体Inas(1-x)sb(x)和II型Inas(1-x)sb(x)/ Inas应变层超晶格中的导带和价带能量。