一种减小硫化铟半导体光学带隙的方法

摘要

本发明涉及一种减小In2S3半导体光学带隙的方法，具体在于以In2S3二元硫化物为母体半导体，通过Sn元素掺杂调控其能带，形成化学分子式为In2‑xSnxS3(0.04≤x≤0.2)的半导体。与现有技术相比，本发明通过对In2S3半导体掺杂Sn元素，可以大幅度减小In2S3半导体材料的禁带宽度，增加其对太阳能光谱的吸收能力，从而扩大In2S3半导体材料的利用范围，使其可以直接用作太阳能电池吸收材料，对太阳能电池的发展具有实际意义。