技术领域
本发明涉及一种甲醛传感器，特别是一种基于掺铝氧化锌多孔纳米薄膜的MEMS甲醛传感器的制备方法。
背景技术
甲醛是一种无色易燃的化学物质，具有还原性和刺激性气味，人体暴露于甲醛会影响免疫系统反应。它是人类的致癌物，可引起血癌、淋巴癌及鼻咽癌。如果甲醛的暴露量超过允许的暴露极限，就会对人体的鼻子、眼睛和喉咙造成非常大的刺激。世界卫生组织建议，甲醛的安全极限是8小时内2ppm的暴露，室内水平在30分钟内不得超过80ppb。因此，高性能甲醛传感器的开发对于环境安全和人体健康显得尤为重要。甲醛的暴露量超过3ppm可以在人体中诱导细胞毒性作用。该气体主要用于生产商业树脂，例如，用于制造刨花板和各种涂料。它是几乎每个居民家庭中最常见的室内空气污染物。HCHO的来源包括刨花板、油漆、空气清新剂、窗帘、床单等。一项研究表明，若是所从事的职业长期接触HCHO，也可诱导白血病的产生。
考虑到甲醛对健康的不利影响，最重要的是研发一种可实现ppb级别检测甲醛的气体传感器。前人研究者已经探索了各种气体传感材料和平台，以实现可靠且高度灵敏的HCHO传感器。尽管可以使用多种感测原理及对应方法，但大多数甲醛传感器仍采用金属氧化物传感材料，因为它们易于制造且成本低廉。半导体金属氧化物传感器由于其响应快速且结构简单的优点已经应用于绝大部分气体检测领域，并且随着纳米技术日新月异的发展，半导体金属氧化物敏感材料朝着纳米化、薄膜化等方向不断扩展，灵敏度不断提高。为人类检测更低浓度的气体，保证日常工作和生活环境的安全起到了重要的促进作用。与此同时，将半导体金属氧化物气敏材料与基于MEMS的微加热器进行集成，为实现物联网与智慧城市建设对气体传感器微型化、低功耗的要求提供了可能，对于实现一致性高的低功耗微型气体传感器的晶圆级批量化生产具有重要的研究意义。
传统MEMS微加热器集成工艺的半导体金属氧化物甲醛传感器采用的是上下布置的方式，即加热电极位于敏感电极下方，两者之间有绝缘层，通常绝缘层为氮化硅材料。虽然结构较为直观，加热面积集中在一定区域，但是由于增加了工艺步骤，对于后期的工艺实施增加了难度，因为采用上下结构将加热丝埋入绝缘层中会造成支撑薄膜非常复杂的应力状态，从而增加薄膜破损的几率，因此选用合适的制备方法无论是对于要求快捷性，亦或者未来应用于工业生产，显得尤为重要。
发明内容
本发明目的在于提供一种基于掺铝氧化锌多孔纳米薄膜的MEMS甲醛气体传感器的制备方法，通过采用Pd贵金属对掺铝氧化锌薄膜进行掺杂和表面改性，制备出气敏性能一致性好的低功耗MEMS甲醛气体传感器，提高气体传感器的响应；提高了反应速度与灵敏度，能够检测到ppb级别的甲醛浓度。
为达到以上目的，本发明是采取如下技术方案予以实现的：
一种基于掺铝氧化锌多孔纳米薄膜的MEMS甲醛传感器的制备方法，包括下述步骤：
(1)在Si基底的上、下两面分别利用热氧化法制备第一层双面SiO
(2)在正面支撑层薄膜之上利用等离子体增强化学气相淀积法依次制备SiO
(3)在Si
(4)在烘干后的电极图案上，利用电子束蒸发沉积Cr和Au薄膜；
(5)在沉积Cr-Au薄膜电极后，进行光刻胶剥离，烘干；
(6)利用敏感层掩膜版和已经制备的电极图案进行套刻对准，利用旋涂粘附剂、匀胶、光刻、显影工艺制备出敏感层图案，并烘干；
(7)将微球通过旋涂的方式涂到烘干后的敏感层图案上，并干燥；
(8)对旋涂微球的敏感层图案进行处理，调节微球大小，在设定时间和功率条件下进行刻蚀；
(9)利用磁控溅射法共溅射敏感材料ZnO和Al
(10)在溅射的ZnO及Al
(11)利用剥离操作去除光刻胶，留下敏感电极处的敏感材料；
(12)再使用甲苯进行超声处理，去除微球，得到多孔的ZnO及Al
(13)利用光刻工艺在背面掩蔽层薄膜上制备绝热槽窗口图案；
(14)利用干法刻蚀工艺刻蚀掩蔽层；
(15)将光刻胶和聚二甲基硅氧烷涂覆在Si基底正面及侧边区域，使用四甲基氢氧化铵溶液进行湿法腐蚀，在Si基底3背面形成绝热槽；
(16)去除聚二甲基硅氧烷及光刻胶，经激光划片分割后得到掺铝氧化锌多孔纳米薄膜的MEMS甲醛传感器。
上述工艺中的进一步方案还在于:
所述步骤(1)中，硅基底为N(100)型硅片，厚度为400±10μm；其中SiO
所述步骤(2)中，SiO
硅片于500℃-600℃温度，先通1小时100％的N
所述步骤(3)中，粘附剂为六甲基二硅胺烷，在500-600r/min旋涂6-8s，再在1500-1800r/min旋涂40-45s，在120℃-125℃下烘干10-15min。
步骤(3)和(6)中，匀胶选择EPG535光刻胶，设置低速500-600r/min旋转6-8s，高速1000-1200r/min旋转40-45s，在95-98℃下烘5-8min，光刻时曝光时间为7-8s，采用5‰的NaOH溶液显影20-25s，最后在110-115℃下烘干20-25min。
所述步骤(4)中，Cr作为粘附剂沉积10-50nm，Au作为电极材料沉积15-250nm。
所述步骤(5)、(11)和(16)中，采用剥离步骤为：丙酮清洗5-7min，超声1-2min，酒精清洗5-7min，超声1-2min，去离子水清洗5-10min，重复步骤2-3次；气吹吹干，110-115℃下烘10-15min。
所述步骤(7)中，采用聚苯乙烯微球水溶液，微球含量为2-5wt％，微球直径为200-500nm，通过匀胶机旋涂至硅基底上，300-500r/min旋涂30-40s；室温下干燥2小时。
所述步骤(8)中，使用氧等离子体刻蚀法或者使用反应离子刻蚀法进行微球的刻蚀，刻蚀时间为6-10min，功率为70-90W。
所述步骤(9)中，ZnO溅射功率为100-150W，Al
所述步骤(10)中，溅射Pd层的时间控制为5-10s。
所述步骤(12)中，将整个硅片放在装有甲苯中的培养皿中超声2-5min去除聚苯乙烯微球，将硅片在500-600℃退火2-3小时。
所述步骤(13)中，所述聚二甲基硅氧烷包括道康宁184胶及AXSON ESSIL296胶；所述四甲基氢氧化铵的浓度为25％，在85-95℃腐蚀15-17小时。
本发明制备的一种基于掺铝氧化锌多孔纳米薄膜的MEMS甲醛传感器，整个传感器由下至上包括掩蔽层、硅基底、绝缘层、加热电极、敏感电极及测温电极、敏感材料组成。在正面的支撑层之上，利用磁控溅射制备出中心对称布置的电极，分别用于传感器芯片的加热、测试及测温，并且所有的电极均有对应的引线盘，用于引线封装测试。在整个电极图案的中心区域处，设置有敏感材料图案，敏感材料通过磁控共溅射的方式准确的与叉指状的敏感测试电极贴合，敏感材料为掺铝氧化锌的纳米薄膜。通过测试敏感材料在甲醛气体通入前后电阻的变化作为衡量传感器性能的重要依据。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
1、采用ZnO及Al
2、利用聚苯乙烯微球作为掩蔽层制备多孔掺铝氧化锌敏感薄膜，增加了薄膜的比表面积，利于气体分子进行吸附以及脱附，提高了反应速度与灵敏度，能够检测到ppb级别的甲醛浓度。
3、将敏感薄膜制备在电极之上，区别于传统的将加热电极设计在敏感电极下方，敏感材料在电极之上的设计进一步增加了气体与材料的接触面积，提高敏感材料对气体的响应。
4、加热电极、敏感电极及测温电极采用中心对称式分布，其中加热电极呈双螺旋形状，而敏感电极则为叉指状，与敏感材料紧密贴合，并且与加热电极螺旋饶和，呈中心对称结构。在传感器的上下方设置有一对测温电极，用于实时反馈敏感材料中心区域加热温度，以便于调整反应温度，提高测试稳定性。同时这三种电极均有与之对应的引线盘，用于将来利用金丝球焊机引线封装测试。最后加热电极、敏感电极及测温电极是采用相同的材料Cr-Au在同一工艺下制作，减少工艺步骤，增加成品率；
5、利用交叉薄膜的设计来相互补偿SiO
6、利用背部湿法腐蚀将背部的硅基底去除，减少加热时热量与硅基底之间的热传导，极大的降低了传感器的功耗。此外传感器的尺寸为2×2mm，能够与集成电路兼容，满足市场需求。
附图说明
图1为本发明多孔纳米薄膜的MEMS甲醛传感器的结构剖面图；
图2(a)为本发明多孔纳米薄膜的MEMS甲醛传感器的加热电极、敏感电极、测温电极的平面结构，图2(b)则为敏感电极的平面放大图；
图3为本发明多孔纳米薄膜的MEMS甲醛传感器的将敏感材料制备在敏感叉指电极之上的示意图；
图4为共溅射Al
图5为敏感材料的图案掩膜版；
图6为背部绝热槽的图案掩膜版；
图7为掩膜版图案套刻对准时的十字对准标记；
图8(a)-图8(p)为本发明多孔纳米薄膜的MEMS甲醛传感器的制备工艺流程图。
图9为传感器对0.25ppm-5ppm浓度的甲醛在300℃下的动态响应；
图10为传感器在200-400℃的温度范围内对0.25ppm-5ppm的甲醛响应值变化曲线。
图中：1、Si
具体实施方式
下面结合附图和实施例对发明作进一步的详细说明，但并不作为对发明做任何限制的依据。
如图1、图2(a)、2(b)所示本发明的一种基于掺铝氧化锌多孔纳米薄膜的MEMS甲醛传感器的制备方法，由下至上分别依次为Si
如图2(a)、(b)所示，所设计的电极为双螺旋状的、呈中心对称的由薄膜电极组成的Cr-Au加热电极8、与多孔掺铝氧化锌敏感薄膜10紧密贴合的Cr-Au敏感电极9、设计在传感器两侧的Cr-Au测温电极14组成。其中Cr-Au敏感电极9与Cr-Au加热电极8螺旋饶和，其同样为中心对称结构。三种电极均是采用Cr-Au材料，利用磁控溅射法一同制备出来。在4寸Si基底的区域内，电极掩膜版上的电极数量为1704个。在敏感电极的有效测试区域15的尺寸是100μm×100μm。
如图3所示，利用聚苯乙烯微球作为掩蔽层，将多孔掺铝氧化锌薄膜10溅射完后，再去除微球，留下带有多孔区域16多空状的多孔掺铝氧化锌敏感薄膜10。
如图4所示，利用三氧化二铝及氧化锌靶材共溅射，控制两种靶材共溅射同一时间，最终形成复合薄膜。
如图5所示，为敏感材料的图案掩膜版，每一个敏感图案尺寸为100μm×100μm，图案数量为1704个。
如图6所示，为背部绝热槽的图案掩膜版，每一个绝热槽图案的尺寸为1mm×1mm，图案数量与敏感材料的图案数量一致，均为1704个。
如图7所示，为所设计的将敏感材料图案、背部绝热槽图案、电极掩膜版图案精确对准的“十字”套刻标记，三种掩膜版均设计有“十字”对准标记，其宽度为80μm。
参照图8(a)-8(p)，本发明的一种基于掺铝氧化锌多孔纳米薄膜的MEMS甲醛传感器的制备方法如下：
(1)如图8(a)在Si基底3上、下两面利用热氧化法分别制备第一层SiO
(2)如图8(b)所示，在正面支撑层SiO
(3)如图8(c)所示，在正面的支撑层的第二层Si
光刻时曝光时间设置为7-8s，之后采用5‰的NaOH溶液进行20-25s的显影操作，最佳显影时间被定为20s，最后在110-115℃下进行20-25min的烘干。
(4)如图8(d)所示，制备出电极图案之后，利用易于进行后续剥离操作的电子束蒸发沉积工艺制备Cr和Au薄膜，Cr作为粘附剂沉积10-50nm，Au作为电极材料沉积15-250nm。沉积Cr薄膜是为了增强Au电极与绝缘层的粘附性。
(5)如图8(e)所示，在沉积Cr-Au薄膜电极后，利用丙酮、酒精及去离子水及进行光刻胶的剥离，得到制备的电极图案。采用的剥离操作步骤是：丙酮清洗5-7min，超声1-2min，酒精清洗5-7min，超声1-2min，去离子水清洗5-10min，并用气吹吹干硅片表面的水分，在110-115℃下烘10-15min。
(6)如图8(f)所示，利用敏感图层掩膜版和已经制备的电极图案根据设计的“十字”标记进行套刻对准，即可完成敏感层图案和电极图案的对准。其中敏感层图案被制备在电极图案的中心区域。利用旋涂粘附剂、匀胶、光刻、显影工艺制备出敏感图层图案，具体工艺参数同图8(c)。
(7)如图8(g)所示，得到敏感层图案之后，将聚苯乙烯微球通过旋涂的方式涂到已有敏感层图案的Si基底上。微球采用聚苯乙烯微球水溶液，微球含量为2-5wt％，微球直径为200-500nm，通过匀胶机旋涂微球至已有敏感层图案的Si基底上，旋涂时的参数设置300-500r/min旋转30-40s。再在室温下放入干燥箱中干燥2小时，以实现自组装，最终在基底上得到规整的孔状阵列结构。
(8)如图8(h)所示，利用氧等离子体刻蚀法对微球进行处理，以调节微球的大小，刻蚀时间为6-10min，功率为70-90W，得到直径缩小的微球掩蔽层。
(9)如图8(i)所示，刻蚀完毕后，利用磁控溅射法共溅射敏感材料ZnO及Al
(10)如图8(j)所示，待ZnO及Al
(11)如图8(k)所示，磁控溅射完毕后，利用剥离操作去除光刻胶，留下敏感电极处的敏感材料，工艺参数和图8(e)相同。
(12)如图8(l)所示，将整个4寸硅片放在装有甲苯中的培养皿中超声2-5min即可去除聚苯乙烯微球，得到多孔的ZnO及Al
(13)如图8(m)所示，利用光刻工艺在传感器背面制备绝热槽窗口图案，绝热槽图案的尺寸为1×1mm；光刻工艺参数同8(c)。绝热槽窗口图案和正面敏感层图案是通过掩膜版上的“十字”对准标记进行背面套刻对准的。光刻胶为EPG535，聚二甲基硅氧烷包括道康宁184胶及AXSON ESSIL296胶。四甲基氢氧化铵的配置浓度为25％，整个湿法腐蚀是在85-95℃的温度下进行的。腐蚀的时间为15-17小时，最终在Si基底背面形成绝热槽窗口图案。
(14)如图8(n)所示，利用干法刻蚀工艺刻蚀传感器背部掩蔽层SiO
(15)如图8(o)所示，使用光刻胶及聚二甲基硅氧烷对传感器正面区域及侧边区域进行保护，聚二甲基硅氧烷包括道康宁184胶及AXSON ESSIL 296胶。最后使用浓度为25％的四甲基氢氧化铵溶液进行湿法腐蚀。
(16)如图8(p)所示，去除聚二甲基硅氧烷及光刻胶的操作为：使用丙酮清洗5-8min，超声1-2min，酒精清洗5-8min，超声1-2min，去离子水清洗5-10min，重复这三个步骤2-3次。并在超净室里面用气吹吹干硅片表面的水分，将整个硅片在110-115℃下烘10-15min。采用激光划片进行传感器的划分，最终得到2×2mm的MEMS甲醛传感器芯片；最后得到掺铝氧化锌多孔纳米薄膜的MEMS甲醛传感器共计1704个，实现了批量化生产传感器芯片。
下面给出不同实施例来进一步说明本发明。
实施例1
(1)如图8(a)所示，在Si基底上、下两面利用热氧化法分别制备第一层SiO
(2)如图8(b)所示，在第一层Si
(3)如图8(c)所示，在正面的支撑层的第二层Si
光刻时曝光时间设置为7s，之后采用5‰的NaOH溶液进行25s的显影操作，最后在115℃下进行25min的烘干。
(4)如图8(d)所示，利用电子束蒸发沉积工艺制备Cr和Au薄膜，Cr作为粘附剂沉积10nm，Au作为电极材料沉积15nm。
(5)如图8(e)所示，利用丙酮清洗6min，超声2min，酒精清洗7min，超声1min，去离子水清洗8min，并用气吹吹干硅片表面的水分，在110℃下烘15min。
(6)如图8(f)所示，利用敏感图层掩膜版和已经制备的电极图案根据设计的“十字”标记进行套刻对准，利用旋涂粘附剂、匀胶、光刻、显影工艺制备出敏感图层图案，具体工艺参数同图8(c)。
(7)如图8(g)所示，将聚苯乙烯微球通过旋涂的方式涂到已有敏感层图案的Si基底上。微球采用聚苯乙烯微球水溶液，微球含量为3wt％，微球直径为300nm，通过匀胶机旋涂微球至已有敏感层图案的Si基底上，400r/min旋涂40s。干燥2小时，在基底上得到规整的孔状阵列结构。
(8)如图8(h)所示，利用氧等离子体刻蚀法对微球进行处理，刻蚀7min，功率为80W。
(9)如图8(i)所示，利用磁控溅射法共溅射敏感材料ZnO及Al
(10)如图8(j)所示，利用磁控溅射于敏感材料之上溅射Pd层10s。
(11)如图8(k)所示，利用剥离操作去除光刻胶，留下敏感电极处的敏感材料，工艺参数和图8(e)相同。
(12)如图8(l)所示，将整个4寸硅片放在装有甲苯中的培养皿中超声3min去除聚苯乙烯微球，管式炉中500℃退火3h。
(13)如图8(m)所示，利用光刻工艺在传感器背面制备绝热槽窗口图案，绝热槽图案的尺寸为1×1mm；光刻工艺参数同8(c)。四甲基氢氧化铵的配置浓度为25％，在85℃下腐蚀17小时，最终在Si基底背面形成绝热槽窗口图案。
(14)如图8(n)所示，利用干法刻蚀工艺刻蚀传感器背部掩蔽层SiO
(15)如图8(o)所示，使用光刻胶及聚二甲基硅氧烷对传感器正面区域及侧边区域进行保护，聚二甲基硅氧烷包括道康宁184胶及AXSON ESSIL 296胶。最后使用浓度为25％的四甲基氢氧化铵溶液进行湿法腐蚀。
(16)如图8(p)所示，使用丙酮清洗8min，超声1min，酒精清洗7min，超声2min，去离子水清洗6min，重复这三个步骤2-3次。并在超净室里面用气吹吹干硅片表面的水分，将整个硅片在110℃下烘15min。采用激光划片进行传感器的划分，最终得到2×2mm的MEMS甲醛传感器芯片。
实施例2
(1)如图8(a)所示，在Si基底上、下两面利用热氧化法分别制备第一层SiO
(2)如图8(b)所示，在第一层Si
(3)如图8(c)所示，在正面的支撑层的第二层Si
光刻时曝光时间设置为8s，之后采用5‰的NaOH溶液进行20s的显影操作，最后在110℃下进行20min的烘干。
(4)如图8(d)所示，利用电子束蒸发沉积工艺制备Cr和Au薄膜，Cr作为粘附剂沉积40nm，Au作为电极材料沉积150nm。
(5)如图8(e)所示，利用丙酮清洗7min，超声1min，酒精清洗6min，超声1min，去离子水清洗5min，并用气吹吹干硅片表面的水分，在115℃下烘10min。
(6)如图8(f)所示，利用敏感图层掩膜版和已经制备的电极图案根据设计的“十字”标记进行套刻对准，利用旋涂粘附剂、匀胶、光刻、显影工艺制备出敏感图层图案，具体工艺参数同图8(c)。
(7)如图8(g)所示，将聚苯乙烯微球通过旋涂的方式涂到已有敏感层图案的Si基底上。微球采用聚苯乙烯微球水溶液，微球含量为2wt％，微球直径为500nm，通过匀胶机旋涂微球至已有敏感层图案的Si基底上，300r/min旋转30s。干燥2小时，在基底上得到规整的孔状阵列结构。
(8)如图8(h)所示，利用氧等离子体刻蚀法对微球进行处理，刻蚀6min，功率为90W。
(9)如图8(i)所示，利用磁控溅射法共溅射敏感材料ZnO及Al
(10)如图8(j)所示，利用磁控溅射于敏感材料之上溅射Pd层5s。
(11)如图8(k)所示，利用剥离操作去除光刻胶，留下敏感电极处的敏感材料，工艺参数和图8(e)相同。
(12)如图8(l)所示，将整个硅片放在装有甲苯中的培养皿中超声5min去除聚苯乙烯微球，管式炉中进行600℃退火2h。
(13)如图8(m)所示，利用光刻工艺在传感器背面制备绝热槽窗口图案，绝热槽图案的尺寸为1×1mm；光刻工艺参数同8(c)。四甲基氢氧化铵的配置浓度为25％，在95℃下腐蚀15小时，最终在Si基底背面形成绝热槽窗口图案。
(14)如图8(n)所示，利用干法刻蚀工艺刻蚀传感器背部掩蔽层SiO
(15)如图8(o)所示，使用光刻胶及聚二甲基硅氧烷对传感器正面区域及侧边区域进行保护，聚二甲基硅氧烷包括道康宁184胶及AXSON ESSIL 296胶。最后使用浓度为25％的四甲基氢氧化铵溶液进行湿法腐蚀。
(16)如图8(p)所示，使用丙酮清洗5min，超声2min，酒精清洗8min，超声2min，去离子水清洗6min，重复这三个步骤2-3次。并在超净室里面用气吹吹干硅片表面的水分，将整个硅片在115℃下烘10min。采用激光划片进行传感器的划分，最终得到2×2mm的MEMS甲醛传感器芯片。
实施例3
(1)如图8(a)所示，在Si基底上、下两面利用热氧化法分别制备第一层SiO
(2)如图8(b)所示，在第一层Si
(3)如图8(c)所示，在正面的支撑层的第二层Si
光刻时曝光时间设置为8s，之后采用5‰的NaOH溶液进行20s的显影操作，最后在110℃下进行20min的烘干。
(4)如图8(d)所示，利用电子束蒸发沉积工艺制备Cr和Au薄膜，Cr作为粘附剂沉积50nm，Au作为电极材料沉积250nm。
(5)如图8(e)所示，利用丙酮清洗5min，超声1min，酒精清洗5min，超声1min，去离子水清洗10min，并用气吹吹干硅片表面的水分，在115℃下烘12min。
(6)如图8(f)所示，利用敏感图层掩膜版和已经制备的电极图案根据设计的“十字”标记进行套刻对准，利用旋涂粘附剂、匀胶、光刻、显影工艺制备出敏感图层图案，具体工艺参数同图8(c)。
(7)如图8(g)所示，将聚苯乙烯微球通过旋涂的方式涂到已有敏感层图案的Si基底上。微球采用聚苯乙烯微球水溶液，微球含量为5wt％，微球直径为200nm，通过匀胶机旋涂微球至已有敏感层图案的Si基底上，500r/min旋转30s。干燥2小时，在基底上得到规整的孔状阵列结构。
(8)如图8(h)所示，利用氧等离子体刻蚀法对微球进行处理，刻蚀10min，功率为70W。
(9)如图8(i)所示，利用磁控溅射法共溅射敏感材料ZnO及Al
(10)如图8(j)所示，利用磁控溅射于敏感材料之上溅射Pd层9s。
(11)如图8(k)所示，利用剥离操作去除光刻胶，留下敏感电极处的敏感材料，工艺参数和图8(e)相同。
(12)如图8(l)所示，将整个硅片放在装有甲苯中的培养皿中超声2min去除聚苯乙烯微球，管式炉中进行550℃退火2h。
(13)如图8(m)所示，利用光刻工艺在传感器背面制备绝热槽窗口图案，绝热槽图案的尺寸为1×1mm；光刻工艺参数同8(c)。四甲基氢氧化铵的配置浓度为25％，在90℃下腐蚀16小时，最终在Si基底背面形成绝热槽窗口图案。
(14)如图8(n)所示，利用干法刻蚀工艺刻蚀传感器背部掩蔽层SiO
(15)如图8(o)所示，使用光刻胶及聚二甲基硅氧烷对传感器正面区域及侧边区域进行保护，聚二甲基硅氧烷包括道康宁184胶及AXSON ESSIL 296胶。最后使用浓度为25％的四甲基氢氧化铵溶液进行湿法腐蚀。
(16)如图8(p)所示，使用丙酮清洗6min，超声2min，酒精清洗5min，超声2min，去离子水清洗10min，重复这三个步骤2-3次。并在超净室里面用气吹吹干硅片表面的水分，将整个硅片在115℃下烘10min。采用激光划片进行传感器的划分，最终得到2×2mm的MEMS甲醛传感器芯片。
如图9所示为传感器对0.25ppm-5ppm浓度的甲醛在300℃下的动态响应，传感器的响应值被定义为传感器在空气中的基线电阻与传感器在一定浓度的甲醛气体中的电阻的比值。可以看到传感器对低至250ppb的甲醛能够产生响应，随着甲醛浓度的增加，响应值也在不断增加，在甲醛浓度为5ppm的时候产生1.35的响应值，体现传感器的良好感测性能。
如图10为传感器在200-400℃的温度范围内对0.25ppm-5ppm的响应值变化曲线，可以看到对于每一种浓度的甲醛，传感器的最佳响应均在300℃下被测到，说明300℃是传感器的最佳工作温度，对于每一种环境温度下，随着甲醛的浓度从0.25ppm至5ppm的增加，传感器的响应也是在不断增加的，且在低浓度下的甲醛环境下，传感器的性能良好，能够满足实际的低浓度甲醛检测需求。
本发明并不局限于上述实施例，在本发明公开的技术方案的基础上，本领域的技术人员根据所公开的技术内容，不需要创造性的劳动就可以对其中的一些技术特征作出一些替换和变形，这些替换和变形均在本发明的保护范围内。
机译： 多孔氧化锌膜，制造相同的染料敏化太阳能电池，光催化剂，化学传感器或磷的每种方法均配有多孔氧化锌膜，形成多孔氧化锌膜的前体及其制备方法
机译： 用作过滤器或传感器的导电多孔无机材料-包含多孔无机物质，优选。铝硅酸盐或磷酸铝，以及半导体金属氧化物，优选。二氧化锡，二氧化碳和/或氧化锌
机译： 掺铝氧化锌薄膜，其制备方法以及包含该薄膜的微机电系统装置
