一种新型SE正激光工艺

摘要

本发明涉及太阳能电池生产领域。一种新型SE正激光工艺，在SE激光过程中喷入氧气，使硅片表面的氧气浓度为22%‑30%，在SE激光完成后继续喷入氧气1‑3分钟，硅片表面的氧气浓度为28%‑35%。激光照射过程中在通过喷氧在硅表面形成氧化硅保护层，从而减轻激光对表面的损伤程度，降低硅片表面的复合率。

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池生产领域。

背景技术

目前高效电池普遍采用激光SE工艺，该工艺能够实现SE区域重掺杂，非SE区域轻掺杂，从而确保在满足接触良好的情况下，实现低的表面复合，从而显著提升电池效率。该工艺实现SE的原理是通过激光高能量照射扩散后电池的局部表面，照射区域的磷原子在激光高能量的驱使下，向硅片内部快速扩散，从而实现照射区域的重掺杂。但是，激光掺杂过程中，由于需要用到高能量激光，不可能避免的会在电池表面造成损伤，损伤区域不可避免的成为了新的复合中心，影响Uoc、Isc、FF的进一步提升。当遇到需要正面浸泡的工艺（比如碱抛光工艺），该问题还容易导致Uoc、Isc、FF的急剧下跌，导致批量的不良。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：如何解决电池片在SE区域重掺杂时导致电池表面造成损伤的问题。

本发明所采用的技术方案是：一种新型SE正激光工艺，在SE激光过程中喷入氧气，使硅片表面的氧气浓度为22%-30%，在SE激光完成后继续喷入氧气1-3分钟，硅片表面的氧气浓度为28%-35%。

本发明的有益效果是：激光照射过程中在通过喷氧在硅表面形成氧化硅保护层，从而减轻激光对表面的损伤程度，降低硅片表面的复合率。在激光照射后，在熔化硅冷却过程中，氧气在表面生长一层致密的二氧化硅层，该二氧化硅层能保护激光损伤区域的PN结在后续的清洗工艺过程中不至于被腐蚀。

附图说明

图1是采用本发明后SE激光后的硅片表面；

图2是SE激光前的硅片表面；

图3是未喷氧SE激光后的硅片表面；

图4是氧气喷口和排气口安装示意图。

具体实施方式

在原有激光器对应的加工位置安装有调节阀的氧气喷口，均匀向电池表面喷氧气，在激光器的四周的下方位置（水平距离硅片3-5cm，垂直距离硅片3-5cm）均匀安装排气装置（排气孔直径为1cm，排气孔间隔2cm，排气孔连接抽气机），均匀的抽走灰尘和残留的氧气，同时实现氧气在硅片表面的均匀分布。

在SE激光过程中使硅片表面的氧气浓度为23%，在SE激光完成后继续喷入氧气1分钟，硅片表面的氧气浓度为30%。

使用氧气作为激光过程中的保护气体，保护硅片在激光过程中不被严重损伤，同时保护激光后的电池片在后续的清洗工艺过程中，激光区域的PN结不被腐蚀。