公开/公告号CN112151432A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-29
原文格式PDF
申请/专利权人 西安奕斯伟硅片技术有限公司;
申请/专利号CN202011347533.9
申请日2020-11-26
分类号H01L21/677(20060101);
代理机构61253 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人姚勇政;李斌栋
地址 710065 陕西省西安市高新区西沣南路1888号
入库时间 2023-06-19 09:23:00
机译: 用于生长单晶硅片和单晶硅片的方法,由于硅晶片中的氧气浓度不均匀,该单晶硅片和单晶硅片能够降低失效率
机译: 通过控制热区炉的拉速曲线制造单晶硅片和硅片的方法,以及由此制得的硅片和硅片
机译: 硅片保持装置,硅片输送装置,硅片输送系统及输送方法